高耐久低成本NRAM原理大揭秘
2020-09-08 09:25:35
對(duì)比別的存儲(chǔ)器,納米碳管運(yùn)行內(nèi)存(NRAM)是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西,它具備眾多優(yōu)點(diǎn):可以DRAM的速度提供非易失性,具有超越DRAM的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。它比基本上全部新起存儲(chǔ)系統(tǒng)(PCM,
MRAM和ReRAM)都更貼近通用性存儲(chǔ)器。他們一般用于更換閃存芯片,因而NRAM在理論上既能夠更換DRAM,還可以更換閃存芯片。2016年富士通和USJC公布,與Nantero企業(yè)達(dá)成共識(shí)受權(quán)該企業(yè)的NRAM技術(shù)性,三方企業(yè)自此相互著眼于NRAM運(yùn)行內(nèi)存的開發(fā)設(shè)計(jì)與生產(chǎn)制造。
NRAM原理大揭秘
Nantero公司已經(jīng)花費(fèi)了將近20年的時(shí)間來(lái)研究NRAM,該技術(shù)基于排列在交叉點(diǎn)電極之間的薄層中的無(wú)規(guī)組織的碳納米管的漿料。當(dāng)施加電壓時(shí),CNT被拉到一起,接觸點(diǎn)數(shù)量的增加減少了電極之間的電阻路徑。這種連接是由范德華力在原子級(jí)上保持的。為了復(fù)位存儲(chǔ)單元,電壓脈沖會(huì)引起熱振動(dòng)來(lái)斷開這些連接。
所得的存儲(chǔ)器在低能量下提供了20皮秒的切換速度,以及5ns的實(shí)際寫入速度,并具有10 ^ 11個(gè)周期的耐久性。這保證了基于CNT的NRAM的性能,并且在物理幾何尺寸方面具有更好的可擴(kuò)展性,從而成為替代DRAM和
NAND FLASH的通用存儲(chǔ)器。
一個(gè)相對(duì)較新的技術(shù)是在可隨意切換的CNT的隨機(jī)組織“墊”上增加一層對(duì)齊的CNT。這些用于保護(hù)開關(guān)納米管的下層免于金屬?gòu)纳戏綖R射的金屬遷移。
本文關(guān)鍵詞:NRAM
相關(guān)文章:?國(guó)產(chǎn)異步SRAM 8Mb CMOS存儲(chǔ)器XM8A51216V33A
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI代理、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關(guān)注SRAMSUN. www.henhenlu10.com 0755-66658299