一般來說,存儲結(jié)構(gòu)設計的核心是確保磁性隧道結(jié)所表征的數(shù)據(jù)可以快速讀出,并且能夠根據(jù)需要快速進行改變,另外還有一些工程上的設計比如堆疊設計、數(shù)據(jù)密度提升等。而在數(shù)據(jù)讀寫方面,還會存在使用磁場寫入法和電流寫入法兩種完全不同的方法。
先來看看磁場法寫入數(shù)據(jù)。這種方法的核心在于數(shù)據(jù)的寫入是通過字線和位線電流流過時同時產(chǎn)生的磁場實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的改寫。需要注意的是當字線或者位線二者中的一個有電流流過時,產(chǎn)生的磁場僅僅是自由層矯頑力的一半,因此不能改變自由層磁場的方向,且磁場相互正交。只有當字線和位線同時通過電流并產(chǎn)生磁場時,字線和位線交點處的磁隧道結(jié)自由層才會獲得確定的磁場方向,從而和下方的固定層結(jié)合,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。目前磁場法的
MRAM產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)大部分廠商的研發(fā)對象,這種方法的特點也比較明顯,一是產(chǎn)品功耗略高;二是由于存在從電到磁、磁到磁的作用過程,因此速度比較慢;三是結(jié)構(gòu)比較復雜,制造難度比較高;四是存儲密度可能由于結(jié)構(gòu)問題很難進一步提高。
除了磁場法改變數(shù)據(jù)外,還有一種方法是電流法。業(yè)內(nèi)也有將磁場法寫入歸入第一代MRAM,電流法寫入歸入第二、三代MRAM。具體來說當電流通過磁性層時,電流會被極化,形成自旋極化電流,自旋極化電流可以將自己的自旋動量傳遞給自由層,使得自由層獲得磁矩。
因此這種方法是通過自旋極化電流來改變磁場方向的,且一般都使用前文提到的第二種磁性隧道結(jié)。需要注意的是,電流法改變自由層磁矩方向一般有兩種變化: 一是將自由層的磁矩方向改變成和固定層相同,此時電流從固定層流向自由層。在這種情況下固定層較厚、較強的磁場帶來了極化電流,極化電流穿過隔離層后,還能保持極化方向,因此能夠?qū)⒆孕莿恿哭D(zhuǎn)移給非常薄的自由層,實現(xiàn)自由層磁矩方向和固定層相同。二是將自由層的磁矩方向改變成和固定層相反,此時電流從自由層流向固定層。在這個過程中電子和固定層發(fā)生交換耦合作用,使得自旋平行于固定層磁矩的電子通過,和固定層磁矩相反的電子被反射。因為固定層較厚且磁性較強,相反方向的電子不可能改變其磁矩方向,反倒通過極薄的隔離層又和自由層發(fā)生交換耦合作用,使得自有層磁矩和固定層呈現(xiàn)相反的狀態(tài),實現(xiàn)了自由層磁矩的翻轉(zhuǎn)。從結(jié)構(gòu)上來說電流法的存儲單元結(jié)構(gòu)相比磁場法要簡單一些, 因為不再需要字線,是目前MRAM存儲中比較看重的一個研究方向。
從產(chǎn)品特性來看,電流法的
MRAM特點如下:是寫入速度快,因為直接使用電流對磁場產(chǎn)生影響;二是存儲密度高,由于沒有字線,因此存儲密度相比磁場法要高出不少;三是功耗較低;四是不會產(chǎn)生磁場的交叉影響,因此數(shù)據(jù)穩(wěn)定性更高。
說完了數(shù)據(jù)寫入,再來一起看看數(shù)據(jù)讀取。相比之下數(shù)據(jù)的讀取要容易很多。只要字線和位線同時通過較小的電流后檢測磁隧道結(jié)帶來的電位差就可以了。因為隧道效應的存在,如果磁隧道結(jié)處于低阻狀態(tài),電位差很小;如果隧道效應不存在,則證明磁隧道結(jié)處于高阻值狀態(tài),電位差則很大。通過電位差的大小,就能判斷此時磁隧道結(jié)存儲的數(shù)據(jù)的狀態(tài),同時將數(shù)據(jù)傳輸給系統(tǒng)。另外這種讀取數(shù)據(jù)的方法完全是非破壞性的,也不會影響到數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
MRAM依靠優(yōu)秀的特性和出色的性能,成為了下一代存儲產(chǎn)品的有力競爭者。MRAM已經(jīng)正式出貨并且在逐步提升容量。從產(chǎn)業(yè)角度來看,進入2017年后各種非易失性存儲技術開始爆發(fā),MRAM也是這些新技術中的一種,并且走在比較前端的位置。
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本文關鍵詞: MRAM
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