VTI代理VTI7064 64Mbit串行SRAM中文資料
2021-03-08 10:10:06
VTI706464Mbit串行SRAM,它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI(串行外圍接口/四重外圍接口)
SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口。設(shè)備本身會(huì)執(zhí)行所有必要的刷新操作。
VTI7064特征
-SPI總線接口:
兼容SPI
兼容SQI
所有模式的時(shí)鐘頻率均為20MHz
低功耗CMOS技術(shù):
讀取電流:25mA
待機(jī)電流:典型值150uA
-無限的讀寫周期
-8Mx8位組織和1KB頁(yè)面大小
-高可靠性
-符合RoHS
-8引腳SOIC封裝
-支持的溫度范圍:
擴(kuò)展(E):-25°C至+85°C
工業(yè)(I):-40°C至+85°C
引腳說明
8pin SOIC 1.5mil
接口說明
1、地址空間
所有設(shè)備都是字節(jié)可尋址的。64M設(shè)備用A[22:0]尋址。
2、頁(yè)長(zhǎng)
讀和寫操作始終是線性地址空間。只要滿足tCEM(max。),線性連發(fā)就可以跨越頁(yè)面邊界。
3、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
器件以50Ω上電。
4、開機(jī)狀態(tài)
器件在SPI模式下上電。開始任何操作之前,必須將CE#設(shè)置為高。
5、命令/地址鎖存真相
設(shè)備可以識(shí)別各種輸入法指定的以下命令
備注:S=串行I/O,Q=四通道I/O。
133(104)表示133Mhz@1.8V和104Mhz@3.3V。
*84Mhz是允許跨頁(yè)面邊界訪問的最大工作時(shí)鐘頻率。
6命令終止
所有所有讀和寫都必須由CE#從低到高完成。CK#的上升沿是終止已激活的讀/寫字線并將設(shè)備設(shè)置為待機(jī)狀態(tài)的觸發(fā)器,否則將阻止內(nèi)部刷新操作,直到設(shè)備看到讀/寫字線已終止,無需執(zhí)行命令終止操作僅適用于讀取和寫入操作以及任何命令操作,例如Enter Quad模式命令和Reset命令。
關(guān)于VTI
Vilsion技術(shù)公司。是設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售用于汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè),醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)的高性能集成電路的翹楚。主要產(chǎn)品是高速SRAM,Seiral SRAM和 低功耗SRAM。其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性以及完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。
VTI代理英尚微電子支持提供驅(qū)動(dòng)、例程以及必要的FAE支持。
VTI7064型號(hào)表
Density |
Organization |
Part NO. |
Vcc(V) |
Speed(MHz) |
Bus Modes |
Temp. |
Package |
Packing |
Status |
規(guī)格書下載 |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
104 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
暫無 |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3.0 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
暫無 |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3.0 |
104 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
暫無 |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
暫無 |
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本文關(guān)鍵詞:VTI7064
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