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Everspin MRAM非易失性存儲器在太空探索中獲得應(yīng)用

2021-04-27 09:44:34

Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用,如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計子系統(tǒng)中使用Everspin的溫度范圍更大的4Mbit,該系統(tǒng)將被搭載在日本的一顆研究衛(wèi)星發(fā)射進入太空。
 
在數(shù)據(jù)存儲的可靠性和持久性方面,同類產(chǎn)品無法與Everspin的MRAM產(chǎn)品相比, Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛(wèi)星研發(fā)工作的不同階段重新配置關(guān)鍵程序和路線定義,這是一項非常了不起的優(yōu)勢。
 
Angstrom Aerospace之所以選擇Everspin的4Mbit MRAM器件,是因為它集合了眾多優(yōu)點,如非易失性內(nèi)存、擴展的溫度操作、耐力持久以及長時間數(shù)據(jù)保留(即使在斷電的情況下)。MRAM能夠在一塊內(nèi)存上保存程序數(shù)據(jù)和FPGA配置數(shù)據(jù),讓Angstrom Aerospace將所有存儲需求縮減到一個芯片上,從而降低了主板區(qū)域。同時MRAM存儲的靈活性也使得系統(tǒng)能夠在太空中進行重新配置。
 
MRAM溫度范圍的擴大為惡劣環(huán)境中的系統(tǒng)設(shè)計(如TAMU)提供了獨特的高溫和高可靠性,MRAM的優(yōu)勢還延伸到運輸和工業(yè)市場,在這一領(lǐng)域,Everspin正在與那些需要大量快速且經(jīng)濟高效的內(nèi)存的開發(fā)人員合作,這些內(nèi)存是非常理想的非易失性內(nèi)存,可進行大量讀寫循環(huán)。
 
除了Angstrom Aerospace的MRAM部署外,航空航天和國防領(lǐng)域內(nèi)的一些世界領(lǐng)先OEM的專業(yè)組件設(shè)計、開發(fā)和制造商e2v也宣布使用Everspin的MR2A16A產(chǎn)品。該公司已經(jīng)發(fā)布了一個可靠性擴展版本,該版本在整個軍事溫度范圍都能以百分百的性能水平操作,可以很好地滿足航空電子、國防和航空航天應(yīng)用的要求。同時霍尼韋爾公司簽署協(xié)議,許可MRAM技術(shù)在軍事和航天應(yīng)用中使用,直到今天,他們繼續(xù)圍繞這一技術(shù)構(gòu)建產(chǎn)品。
 
MR2A16A提供SRAM兼容的35 ns讀/寫時序,具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可自動在斷電時保護數(shù)據(jù),以防止在不符合規(guī)定的電壓情況下進行寫操作。對于必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,MR2A16A是理想的存儲器解決方案。MR2A16A在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。
 
Everspin MR2A16A 4Mbit 產(chǎn)品是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顧客都在尋求用一粒單片取代閃存、SRAM和EEPROM的替代方案,消除SRAM的電池備份,Everspin的MRAM產(chǎn)品已迅速成為首選解決方案。它們提供了在苛刻環(huán)境中順利完成這一任務(wù)所需的耐力、速度和可靠性。Everspin代理英尚微電子可為用戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及應(yīng)用解決方案。

MR2A16A型號表
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs)/ T&R
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V Commercial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V Industrial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP2 3.3V Extended 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP2 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V Commercial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V Industrial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V Extended 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35R 44-TSOP2 3.3v Extended 1500
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35R 48-BGA 3.3v Extended 2000
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35R 48-BGA 3.3v Industrial 1500
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35R 44-TSOP2 3.3v Industrial 2000
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35R 44-TSOP2 3.3v Commercial 1500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35R 48-BGA 3.3v Commercial 2000
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 1500


本文關(guān)鍵詞:MRAM    MR2A16A


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