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FRAM性能比EEPROM好的三個(gè)優(yōu)勢(shì)

2021-04-29 09:43:22

FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),其的特點(diǎn)是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫(xiě)功耗極低,不存在 如EEPROM的最大寫(xiě)入次數(shù)的問(wèn)題;但受鐵電晶體特性制約,F(xiàn)RAM仍有最大訪問(wèn)(讀)次數(shù)的限制。FRAM在耐久性、讀寫(xiě)速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。
 
FRAM性能比EEPROM好的的三個(gè)優(yōu)勢(shì):
 
1、壽命,讀寫(xiě)的次數(shù)比較多, EEPROM和flash都達(dá)不到EEFROM的讀寫(xiě)次數(shù);
 
2、功耗,同樣寫(xiě)入64byte的數(shù)據(jù),F(xiàn)RAM的功耗僅僅是EEPROM的1/100,這樣功耗越低,電池的使用壽命就越長(zhǎng);
 
3、讀寫(xiě)速度,F(xiàn)RAM的寫(xiě)入速度可以達(dá)到納米秒,寫(xiě)入一個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)間僅僅是EEPROM的1/3000。這么快的讀寫(xiě)速度帶來(lái)的另一個(gè)意想不到的好處就是瞬間斷電的時(shí)候,F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)已經(jīng)寫(xiě)入,而EEPROM肯定數(shù)據(jù)丟失。
 
跟FRAM比EEFROM簡(jiǎn)直就是戰(zhàn)五渣?。】墒菫槭裁从肍RAM的客戶還是少數(shù)呢?這就要談到價(jià)格問(wèn)題了。并不是技術(shù)好的產(chǎn)品就會(huì)流行,消費(fèi)者更看重性價(jià)比。FRAM的Logic部分比重太大,成本難以降低是一個(gè)難點(diǎn)。相比EEPROM,F(xiàn)RAM的存儲(chǔ)容量實(shí)在是有一點(diǎn)捉急。在工藝上,F(xiàn)RAM也很難突破100nm,因此大數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)還是更適合留給FLASH或者EEFROM,畢竟兩者分工不同。
 
那么什么樣的應(yīng)用更適合FRAM而非EEFROM呢?如果對(duì)存儲(chǔ)容量沒(méi)有太高要求,而又需要頻繁的記錄重要數(shù)據(jù),又不希望數(shù)據(jù)在斷電中無(wú)法保護(hù),這種應(yīng)用比較適合FRAM。比如汽車中用到的黑匣子,主要記錄剎車信息以及事故前幾秒的情況。“在日本、在歐洲、在韓國(guó)如果你把發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)了,或者意外事故掉地上了,當(dāng)前的模式、當(dāng)前的狀態(tài)一定記下來(lái),比如說(shuō)進(jìn)入隧道的時(shí)候,進(jìn)入隧道那個(gè)通信沒(méi)了,會(huì)先記錄下來(lái)。

富士通FRAM憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨(dú)特特質(zhì),近年來(lái)在Kbit和Mbit級(jí)小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域開(kāi)始風(fēng)生水起,在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲,這就是鐵電存儲(chǔ)器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

 
本文關(guān)鍵詞: FRAM  富士通

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