中國四大重要集成電路產業(yè)聚落持續(xù)擴充對晶圓廠的投資布局，預計新廠產能將會在2018年底不斷開出。拓墣產業(yè)研究院認為，2018年底中國廠商的12寸晶圓每月總產能將達36．2萬片，是現(xiàn)在產能的1.8倍，到時中國廠商產能占全球12吋晶圓產能比重將上升到6．3％。
      在非存儲器（晶圓代工／IDM） 12吋晶圓產能部分，現(xiàn)在主要有4家中國廠釋出新增產能的訊息。
    （1）中芯于上海規(guī)劃新增月產能7萬片的14～7nm產能，深圳新增4萬片的65～55nm產能。
    （2）華力微于上海規(guī)劃新增4萬片的28～14nm產能。
    （3）德科瑪在淮安規(guī)劃2萬片CIS產能。
    （4）紫光計劃在成都興建12寸廠。
     由于自28nm制程起始，晶圓廠必須使用難度較高的多重曝光技術（Multiple Patterning），是先進制程的基本條件，連帶牽動先進制程（28nm以下）的發(fā)展進程，2016年底中芯28nm營收占比僅有3．5％，顯示其制程良率的控制能力穩(wěn)定性依舊不足，將會影響28nm以下制程進度，2018年底中芯14nm非常有可能會處于試產狀態(tài)。
      而華力微新廠在2016年底動工，所以就算發(fā)展順利，也要2018下半年才能夠進入試產。而紫光雖透露出興建12寸廠消息，但還沒有詳細動工時間，估計2018年尚不會有產能釋出。
                                                      

       因此2018年中國企業(yè)規(guī)劃的新增產能目標將可能難以實現(xiàn)，預期下修到7.2萬片，其中中國廠商的先進制程（28nm含以下）產能約1．2萬片，占新增產能近17％，預計2018年中國自主非存儲器產能將占全球非存儲器產能比重約6．7％。
      存儲器部分，共有4座新廠進行投產。
    （1）晉華以25nm制程為目標計劃12萬片DRAM產能。
    （2）長江存儲于武漢規(guī)劃新建3D NAND晶圓廠，預計于2020年達到月產能30萬片。
    （3）長鑫科技于合肥計劃月產能達12．5萬片存儲器芯片產能。
    （4）紫光將于南京建立月產能10萬片的晶圓廠，主要生產存儲芯片。
      從晶圓廠開工到進行試產一般需要18個月的時間，實際量產時間則是各企業(yè)的技術能力及量產經(jīng)驗而定，除了紫光尚未釋出實際建廠進度外，晉華在2016年底開始動土，2018下半年才有可能進行試產，除此之外，25nm需用浸潤式曝光機（ArF－immersion）和雙重曝光技術（Double Patterning），制程難度大大提高，將影響實際產能開出的進度。
    而長鑫的新廠動土時間計劃在2017下半年開始，估計2018年底尚不會有產能開出。
    長江存儲則正計劃發(fā)展32層垂直堆疊的3D－NAND，估計2018年底將可問世，估計總產能將達到約50000片。
    因此2018年中國廠商規(guī)劃的新增產能或將難以達成，預期下修至9萬片，估計2018年中國自主存儲器產能將占全球存儲器產能比重約4．4％。

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