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1Mbit存儲國產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I

2021-09-23 10:25:03

SRAM是具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM雖然速度較快,不需要刷新的動作,但是也有缺點,就是價格高,體積大,所以在主板上還不能作為用量較大的主存?,F(xiàn)將它的特點歸納如下:
•優(yōu)點,速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。
•缺點,集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價格較高,少量用于關鍵性系統(tǒng)以提高效率。
 
本篇文章主要介紹一款1Mbit存儲國產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I
 
偉凌創(chuàng)芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進的全CMOS工藝技術制造,位寬64Kx 16位,電源電壓為2.7V~3.6V,支持三態(tài)輸出和TTL兼容和工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝,以實現(xiàn)系統(tǒng)設計的用戶靈活性。還支持低數(shù)據(jù)保持電壓,以實現(xiàn)低數(shù)據(jù)保持電流的電池備份操作。封裝采用標準的44TSOP2。
 
異步低功耗SRAM通常具有較低的訪問速度,Taa在55ns或70ns。這類SRAM將功耗,特別是待機電流(Isb1, Isb2)降到了最低,以滿足移動設備的要求。典型的Icc可以達到1mA且Isb1/Isb2降到1uA的水平。這類存儲器在消費電子、、POS、打印機、手機、汽車醫(yī)療設備等領域有著廣泛的應用。

1Mbit存儲國產(chǎn)SRAM芯片系列
Part Number Density Org. VCC Access Times Temp. Package
EMI501HB08PM45I 1Mbit 128Kx8bit 4.5V~5.5V 45ns -40~85℃ 32SOP
EMI501HB08PM-55I 1Mbit 128Kx8bit 4.5V~5.5V 55ns -40~85℃ 32SOP
EMI501NL16VM-55I 1Mbit 64Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 44TSOP2
EMI501NL16LM-55I 1Mbit 64Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 48BGA


本文關鍵詞:EMI501NL16VM-55I,SRAM,國產(chǎn)SRAM


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