可作為MCU外擴SRAM芯片的型號推薦
2021-10-14 10:16:35
世界上最早的全電子化存儲器是1947年誕生的,其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點”。從那時起,計算機內(nèi)存開始使用磁存儲技術(shù)并經(jīng)歷了數(shù)代演變,相關(guān)系統(tǒng)包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅(qū)動器和磁泡存儲器。從1970年代開始,主流的集成半導(dǎo)體存儲器則主要分為三類:動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。
計算機內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。
SRAM則具有最快的片上緩存。已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。SRAM不需要周期性刷新就能鎖存“0”和“1”信號,影響其發(fā)展的主要因素則是單元面積和讀取速度。
MCU通常是基于SRAM和閃存的混合使用,MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲器和256KB SRAM,在某些應(yīng)用設(shè)計中會出現(xiàn)內(nèi)置RAM不足的情況,需要對STM32單片機進行外擴RAM的處理,可以選擇更換更高RAM容量的單片機,除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改,STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM,比如采用國產(chǎn)SRAM芯片
EMI7064.
我司英尚微介紹以下SRAM芯片作為外擴的考慮
1.串口SRAM芯片:這種封裝是SOP-8的串口SRAM芯片,一般推薦用EMI7064這一款,容量可以達到64Mbit,占用占用單片機的I/O腳位比較少,較多的應(yīng)用在各類產(chǎn)品中,性價比比較高的一款SRAM芯片產(chǎn)品。
2.并口SRAM芯片:一般并口SRAM芯片占用單片機的I/O腳位比較多,可能在應(yīng)用設(shè)計中需要讀取速度較快的可以考慮用這種,數(shù)據(jù)讀取速度可以達到8NS,因為是屬于六個晶體管的設(shè)計,在價格上比較貴,適合用于以下大型工控類產(chǎn)品,服務(wù)器,金融醫(yī)療等產(chǎn)品。
3. 偽靜態(tài)SRAM芯片(也稱PSRAM):這款封裝一般是BGA的,容量同樣可以達到64Mbit,速度一般在70ns左右,價格相對比并口SRAM芯片要便宜。
總體來看,一般看應(yīng)用設(shè)計對外擴SRAM芯片的數(shù)據(jù)讀取速度要求多少,容量以及性價比來選擇SRAM芯片。
Part Number |
Vcc Range |
MHz (max) |
Density |
Temp. Ranges |
Package |
EMI7064LSME |
1.6V~2.0V |
20 |
64Mb |
-25°C~+85°C |
8pin SOIC |
EMI7064MSMI |
2.7V~3.3V |
20 |
64Mb |
-40°C~+85°C |
8pin SOIC |
EMI7064MSME |
2.7V~3.3V |
20 |
64Mb |
-25°C~+85°C |
8pin SOIC |
EMI7064LSMI |
1.6V~2.0V |
20 |
64Mb |
-40°C~+85°C |
8pin SOIC |
本文關(guān)鍵詞:MCU,外擴SRAM,SRAM,EMI7064
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