用于抗輻射市場的MRAM
2021-11-18 09:50:49
現(xiàn)代記憶依靠電子電荷來存儲信息。雖然地球上設(shè)計(jì)和使用的大部分內(nèi)存足以完成任務(wù),但當(dāng)系統(tǒng)離開我們的大氣層時(shí),顯著更高水平的輻射的影響可能會對存儲在太空中的數(shù)據(jù)造成嚴(yán)重破壞。
MRAM是一種非易失性存儲器,可以保護(hù)數(shù)據(jù)免于斷電并在空間中正常運(yùn)行。Everspin及其合作伙伴在太空和易輻射環(huán)境中擁有比其他公司都多的MRAM。
Everspin MRAM制造商可以在后端(BEOL)FAB中提供8英寸MRAM晶圓。與多個(gè)CMOS前端(FEOL)代工廠選項(xiàng)配合使用能夠提供分立和嵌入式MRAM。Everspin一直以這種方式為其合作伙伴生產(chǎn)太空級MRAM。
在更高級的節(jié)點(diǎn)上,
Everspin從2017年開始交付商用MRAM(40納米到22納米)。定制MRAM或嵌入式MRAM設(shè)備也可以在這些節(jié)點(diǎn)上使用。Everspin MRAM已經(jīng)過獨(dú)立測試,并且顯示在大于1Mrad和LET值為84MeV-cm2/mg時(shí)具有零硬錯(cuò)誤。
Everspin還擁有商業(yè)內(nèi)存路線圖,可提供商業(yè)現(xiàn)貨(COTS)功能,有助于提高RADHARD解決方案的效率、成本管理和長期可用性。長期路線圖讓設(shè)計(jì)人員有信心將MRAM設(shè)計(jì)到他們的軍事和航空航天解決方案中,而不必?fù)?dān)心因不斷的產(chǎn)品變化而過時(shí)或重新認(rèn)證。
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