大陸致力于提升芯片自制率政策，吸引了全球半導體大廠紛紛來大陸建設12吋廠，三星電子(Samsung Electronics)西安3D NAND廠在2016年總產值已超過大陸本土的中芯國際，初次當上大陸半導體制造一哥。2016年大陸整體半導體產值達人民幣4,335.5億元(約新臺幣1.95兆元)，與臺灣產值新臺幣2.43兆元相比已是一步之遙，面臨大陸迅速追趕態(tài)勢，業(yè)界擔憂臺灣在全球半導體二哥地位會將被大陸猛烈替代。
      大陸的半導體產業(yè)崛起，從中央和地方資金、產業(yè)政策、半導體人才等全數到位，全球各大半導體大廠紛紛到大陸設廠，2016年大陸前十大半導體制造晶圓廠中，外資企業(yè)占5成，包括SK海力士(SK Hynix)、三星、英特爾(Intel)、臺積電及聯(lián)電，未來3年內還有聯(lián)電廈門12吋廠、臺積電南京12吋廠、GlobalFoundries成都12吋廠加入大陸生產行列。
      三星憑著3D NAND技術及市場優(yōu)勢，2016年西安廠產值高達人民幣237.5億元，一舉超過中芯產值人民幣202.2億元，首次當上大陸半導體制造一哥。臺積電在大陸排名第七，估計南京廠將會在2018年進行量產，這座廠產能雖不大，但全力沖刺在16納米高階制程，產值十分可觀，也行能夠讓臺積電在大陸半導體廠排名大躍進。
值得關注的是，大陸2016年半導體總產值約新臺幣1.95兆元，對比臺灣2016年半導體產值約2.43兆元，臺灣險勝，保住了全球第二大半導體經濟體地位，僅次于美國。但在大陸猛烈追趕之下，也許未來三年內大陸會取代臺灣半導體二哥地位。
      臺積電全球年營收高達新臺幣8,434.97億元，但大陸比重依然非常低，待對準16納米高階制程的南京12吋廠量產后，有望能擠入大陸前五大半導體大廠，至于聯(lián)電廈門12吋廠則將以28納米制程加入大陸高階制程戰(zhàn)局，臺廠布局大陸十分積極。
       2016年大陸IC設計（存儲芯片）產值為人民幣1,644.3億元，年增率為24.1%，其中以海思為首，年營收貢獻為人民幣260億元，其次為清華紫光展銳年營收規(guī)模約人民幣125億元，第三名中興微電子年營收約人民幣56億元，大陸IC設計公司規(guī)模與臺灣IC設計龍頭聯(lián)發(fā)科差距仍十分大。
此外，根據大陸海關統(tǒng)計顯示，2016年大陸半導體進口金額約2,270.7億美元，減少1.2%，出口半導體金額約613.8億美元，減少11.1%。
       實際上，國際半導體大廠早在2000年之前就非常流行在大陸蓋晶圓廠，包括美國摩托羅拉(Motorola)、日本NEC、荷蘭飛利浦(Philips)等，但當時還沒有找出好的商業(yè)模式，因此沒有成功。
       這次由大陸官方強力主導成立半導體產業(yè)發(fā)展基金，加上各地方政府也成立多個扶植基金，這一波大陸半導體強勢逆襲，臺灣業(yè)者已看出嚴重性，紛期待政府盡速拿出因應對策。

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