問題1:什么是DRAM、
SRAM、SDRAM?
答:名詞解釋如下
DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù),而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁模式
SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器,加電情況下,不需要刷新,數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,而且一般不是行列地址復(fù)用的
SDRAM-------同步的DRAM,即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步
問題2:為什么DRAM要刷新,SRAM則不需要?
答:這是由RAM的設(shè)計(jì)類型決定的,DRAM用了一個(gè)T和一個(gè)RC電路,導(dǎo)致電容會(huì)漏電和緩慢放電,所以需要經(jīng)常刷新來保存數(shù)據(jù)
問題3:我們通常所說的內(nèi)存用的是什么呢?這三個(gè)產(chǎn)品跟我們實(shí)際使用有什么關(guān)系?
答:內(nèi)存(即隨機(jī)存貯器RAM)可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM,和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
問題4:為什么使用DRAM比較多、而使用SRAM卻很少?
答:1)因?yàn)橹圃煜嗤萘康腟RAM比DRAM的成本高的多,正因?yàn)槿绱?,才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。
2)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同:一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(不包括行讀出放大器等),而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題,容量較SRAM大,但是讀寫速度不如SRAM。
問題5:用得最多的DRAM有什么特點(diǎn)呢?它的工藝是什么情況?(通常所說的內(nèi)存就是DRAM)
答:1)DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作,我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器(ROM)和Flash Memory相混淆,因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器,它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。“隨機(jī)訪問”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問,而不管前一次訪問的是哪一個(gè)位置。
2)DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題,容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM,但是現(xiàn)在,SDRAM的速度也已經(jīng)很快了,時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。
3)SDRAM雖然工作頻率高,但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以PC133為例,它的時(shí)鐘周期是7.5ns,當(dāng)CAS latency=2 時(shí),它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作,10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫操作。不過,如果以交替方式訪問Bank,SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫操作(當(dāng)然除去刷新操作)。
4)其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片,最大工作速度是166MHz;可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片,最大工作速度是133MHz。
問題6:用得比較少但速度很快,通常用于服務(wù)器cache的SRAM有什么特點(diǎn)呢?
答:1)SRAM是靜態(tài)的,DRAM或SDRAM是動(dòng)態(tài)的,靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息,而動(dòng)態(tài)的是用電子,要不時(shí)的刷新來保持。SRAM是Static Random Access Memory的縮寫,中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。“靜態(tài)”是指只要不掉電,存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。
2)SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲(chǔ)器,它的用途廣泛。SRAM的速度非??欤诳焖僮x取和刷新時(shí)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。
3)從晶體管的類型分,SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分,SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。異步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘,數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。
最后要說明的一點(diǎn):
SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆,PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。