在四大應(yīng)用中，MRAM非易失性存儲器是最容易實現(xiàn)的是獨立內(nèi)存，它已經(jīng)存在并替換電池支持的SRAM和DRAM以及緩沖硬盤驅(qū)動器方面具有利基應(yīng)用。第二應(yīng)用領(lǐng)域是eMRAM，用于SoC。它取代了eNOR Flash，主要用于代碼存儲。接下來的兩個應(yīng)用都以SRAM為目標(biāo)，但方式不同。最終的應(yīng)用是能夠用大量廉價的非易失性MRAM替換末級緩存。功耗較低但性能要求非常高。從2021年開始算仍需要幾年的時間。
 
MRAM被稱為是內(nèi)存的下一次革命，從1M到1G，MRAM花了十幾年的時間，目前，MRAM仍未得到大范圍的商用落地。本次，三星將MRAM用于存內(nèi)計算仍具有相當(dāng)大的意義。
 
存內(nèi)計算是上個世紀(jì)90年代發(fā)展起來的。內(nèi)存計算可以從本質(zhì)上消除不必要的數(shù)據(jù)搬運延遲和功耗，AI運算可以得到巨量提升。由于MRAM電阻較小，本次三星創(chuàng)新使用電阻加和，降低了支路上的電流，解決了MRAM器件電阻較小的問題，效率也到提升。SRAM和PRAM之前是一眾巨頭競爭的對象，MRAM的特性就像一座難以逾越的大山，但是本次MRAM的新思路可以將MRAM用在存算一體芯片中，而數(shù)據(jù)中心、云計算、云宇宙等都是存算一體芯片的新場景、大市場。

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