Everspin一級代理4Mb串口MRAM存儲芯片-MR25H40CDF
2022-03-04 14:24:25
Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計(jì), 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商,自從Everspin第一款產(chǎn)品進(jìn)入市場,由于MRAM可以保持?jǐn)?shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗等特性,在應(yīng)用程序設(shè)計(jì)中起到了安全性至關(guān)重要的作用,應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和運(yùn)輸市場等, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強(qiáng)大、最迅速的基礎(chǔ)。
MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量為4Mb的磁阻隨機(jī)存取存儲器 (MRAM)。位寬512K x 8。MR25H40CDF擁有35ns的讀/寫周期(無寫入延遲),以及出色的耐讀/寫能力。數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會(huì)丟失,并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫入。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,是理想的內(nèi)存解決方案。
MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序,沒有寫延遲和無限的讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同,MR25H40CDF系列的讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生,寫入之間沒有延遲。
MR25H40CDF系列可在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。MR25H40 (40MHz) 提供工業(yè)級(-40℃至 +85℃)、擴(kuò)展級(-40 至 105℃)和 AEC-Q100 1 級(-40℃ 至 +125℃)工作溫度范圍選項(xiàng)。采用 5 x 6mm、8引腳DFN封裝。引腳排列與串行 SRAM、EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素。
everspin代理英尚微電子支持提供樣品測試及技術(shù)支持。
MR25H40系列
Density |
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
MOQ / Tray |
MOQ / T&R |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40CDC |
8-DFN |
3.3V |
Industrial |
1,140 |
4,000 |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40CDF |
8-DFN sf |
3.3V |
Industrial |
1,140 |
4,000 |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40MDF |
8-DFN sf |
3.3V |
AEC-Q100 Grade 1 |
1,140 |
4,000 |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40MDFR |
8-DFN sf |
3.3v |
AEC-Q100 Grade 1 |
1140 |
4000 |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40VDFR |
8-DFN sf |
3.3v |
Extended |
1140 |
4000 |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40VDF |
8-DFN sf |
3.3v |
Extended |
1140 |
4000 |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40CDFR |
8-DFN sf |
3.3v |
Industrial |
1140 |
4000 |
4Mb |
512Kx8 |
MR25H40CDCR |
8-DFN |
3.3v |
Industrial |
1140 |
4000 |
本文關(guān)鍵詞: Everspin,MR25H40CDF,MRAM
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