EMI508NF16VM-10I低功耗SRAM芯片PIN2PIN替代IS61WV10248BLL-10TLI
2022-03-22 11:02:50
快速低功耗異步SRAM這些器件通常在低于25ns 的區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。它們通常用于緩沖區(qū)和高速緩存應(yīng)用程序。偉凌創(chuàng)芯提供的快速SRAM,以提供將快速異步 SRAM 的訪問時(shí)間與獨(dú)特的超低功耗睡眠模式相結(jié)合的設(shè)備。
IS61WV10248BLL-10TLI是一款容量8M,位寬為1Mb*8bit的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準(zhǔn)再加創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù),造就了這款高性能、低功耗的器件。使用此款
SRAM芯片的片選引腳和輸出使能引腳,可以簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
我司英尚微介紹一款可用于替換IS61WV10248BLL-10TLI的國產(chǎn)SRAM芯片,國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯(EMI)
EMI508NL16VM-55I采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V(Min.),用于以低數(shù)據(jù)保留電流進(jìn)行電池備份操作。容量為8Mbit,位寬512K*16,電壓2.7V~3.6V,支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝,以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的用戶靈活性。采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2封裝形式。代理商英尚微電子提供免費(fèi)樣品測(cè)試及技術(shù)支持。
安徽偉凌創(chuàng)芯(EMI)公司是專注存儲(chǔ)SRAM/PSRAM芯片、顯示驅(qū)動(dòng),接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售的塢無晶圓半導(dǎo)體公司。為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本,供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品,產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。
本文關(guān)鍵詞:SRAM芯片,IS61WV10248BLL
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