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ReRAM可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM產(chǎn)生的問題

2022-04-22 09:32:14

富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案在繼續(xù)為需要頻繁數(shù)據(jù)重寫的客戶設(shè)備尋求更大密度的 FRAM產(chǎn)品的同時,一直在開發(fā)新的非易失性存儲器以滿足頻繁數(shù)據(jù)讀取的要求,從而引入了這種新的 12Mbit ReRAM產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體內(nèi)存解決方案不斷開發(fā)各種低功耗內(nèi)存產(chǎn)品以滿足客戶的需求。
 
MB85AS12MT是一款具有 12Mbit 存儲密度的非易失性存儲器,可在 1.6V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的 ReRAM 產(chǎn)品的內(nèi)存密度是現(xiàn)有 8Mbit ReRAM 的 1.5 倍,同時保持相同的封裝尺寸 WL-CSP(晶圓級芯片尺寸封裝)和相同的引腳分配。
 
型號 MB85AS12MT
密度(配置) 12Mbit (1.5M x 8bit)
界面 SPI接口
工作電壓 1.6V 至 3.6V
工作溫度范圍 -40°C 至 +85°C
閱讀耐力 無限
寫耐力 500,000 次
封裝 11pin WL-CSP
低功耗 讀取電流:0.15mA (Ave.) at 5MHz operation
讀取電流:1.0mA (Max.) at 10MHz operation
寫入電流:2.5mA (Max.) at 10MHz operation
休眠電流:8μA (Max.)

 
ReRAM電阻式隨機存取存儲器是一種非易失性存儲器,其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上,從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡單結(jié)構(gòu),制造工藝非常簡單,同時仍具有低功耗、寫入速度快等優(yōu)良特性。ReRAM 產(chǎn)品可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM 所產(chǎn)生的以下問題。
 
ReRAM電阻式隨機存取存儲器是一種非易失性存儲器,其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上,從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡單結(jié)構(gòu),制造工藝非常簡單,同時仍具有低功耗、寫入速度快等優(yōu)良特性。富士通ReRAM 產(chǎn)品可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM 所產(chǎn)生的以下問題。
 
案例1
問題:8Mbit ReRAM 的內(nèi)存密度不足
解決方案:使用與 8Mbit 產(chǎn)品具有相同引腳分配的 12Mbit ReRAM。
好處:提高最終產(chǎn)品的性能
 
案例2
問題:由于安裝面積的限制,需要保持較小的封裝尺寸
解決方案:在非常小的封裝中使用 12Mbit ReRAM。
好處:在提高性能的同時保持小尺寸
 
案例3
問題:傳統(tǒng)非易失性存儲器難以降低功耗
解決方案:使用讀取電流非常小的 ReRAM。
好處:延長最終產(chǎn)品的電池壽命(減少電池更換次數(shù))
 

本文關(guān)鍵詞:?ReRAM,富士通,FRAM

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