隨機(jī)存儲(chǔ)RAM技術(shù)是指具有與易失性RAM相同的隨機(jī)訪問(wèn)特性的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM和FRAM可以說(shuō)是這一類別中最突出的成員。這些技術(shù)具有極高的讀/寫(xiě)速度。與閃存不同，MRAM和FRAM技術(shù)不需要電荷泵進(jìn)行寫(xiě)入。它轉(zhuǎn)化為讀取和寫(xiě)入操作之間的較低且接近對(duì)稱的能量消耗。
 
但是，它們的容量范圍不超過(guò)幾兆位，并且對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，它們的每字節(jié)成本高得令人望而卻步。此外，盡管原始訪問(wèn)速度超過(guò)50MByte/s，但隨著其他瓶頸（數(shù)據(jù)生產(chǎn)速度有限、處理能力有限、文件系統(tǒng)開(kāi)銷）的暴露，凈性能實(shí)際上仍會(huì)低得多。
 
總體而言，隨機(jī)存儲(chǔ)ram技術(shù)最適合以絕對(duì)性能為關(guān)鍵的利基設(shè)計(jì)。相比之下，SLC NAND（以及QSPI NAND）對(duì)于通用應(yīng)用來(lái)說(shuō)是一種更加平衡的解決方案。

本文關(guān)鍵詞：RAM,MRAM,FRAM

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