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STT-MRAM結(jié)合了傳統(tǒng)存儲器的優(yōu)點

2022-07-08 09:43:23

磁阻隨機存取存儲器MRAM與傳統(tǒng)類型的存儲器(如SRAM、DRAM和閃存)不同,后者使用電荷來存儲信息。MRAM不是利用電子的電荷,而是利用其自旋來存儲數(shù)據(jù)。這種類型的電子學被稱為“自旋電子學”。
 
MRAM自旋電子特性的核心是磁隧道結(jié)(MTJ),這是一種由許多鐵磁層和非磁層組成的薄膜結(jié)構(gòu)。MTJ的電阻以及因此存儲元件的位狀態(tài),純粹隨著這些層的極化變化而切換。由于這些材料在未通電時幾乎可以永遠保持其極化狀態(tài),因此MRAM與閃存、FeRAM和EEPROM一起屬于非易失性存儲器(NVM)陣營。
 
對于1960年代和70年代的系統(tǒng)設(shè)計人員來說,當半導體存儲器相對較新時,標準的思維方式是“在速度和密度很重要但功率不重要時考慮易失性存儲器”和“當功率和密度很重要時考慮非易失性存儲器”速度不是。”這些簡單的規(guī)則適用于當時可用的技術(shù),如DRAM、SRAM和EEPROM。然而,今天的內(nèi)存領(lǐng)域包含如此多的技術(shù),以至于不再可能做出如此嚴格的區(qū)分。每種類型的內(nèi)存都有其獨特的優(yōu)勢和劣勢,并且有一些“理想內(nèi)存”候選者承諾結(jié)合許多技術(shù)的優(yōu)勢而沒有弱點。一個這樣的候選者是基于自旋扭矩技術(shù)的下一代MRAM,稱為STT-MRAM。它承諾結(jié)合閃存的非易失性、DRAM的密度、SRAM的速度和MRAM的抗輻射性。


本文關(guān)鍵詞:STT-MRAM,MRAM,SRAM


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