DDR6可能會(huì)面臨的挑戰(zhàn)
2022-07-18 09:34:16
DDR的引入可以說是電子行業(yè)進(jìn)入高速數(shù)字化的時(shí)期。ECL邏輯組件發(fā)揮了作用,但DDR存儲(chǔ)器一直是一個(gè)典型的例子,表明數(shù)據(jù)速率隨著時(shí)間的推移而穩(wěn)步提高。DDR5的應(yīng)用仍在推進(jìn)中,但業(yè)界已經(jīng)在展望DDR6
ram。
在DDR3之前,設(shè)計(jì)人員需要考慮設(shè)計(jì)以適應(yīng)建立和保持時(shí)間以及總線上的受控阻抗。直到DDR3數(shù)據(jù)速率的高端為止,色散補(bǔ)償都不是這樣的問題,因?yàn)槎秳?dòng)開始成為信號(hào)解釋中的主要問題。在低電平信號(hào)中看到的相對(duì)較小的抖動(dòng)將大到足以關(guān)閉DDR3信號(hào)的眼圖。因此更新了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)以提供DDR4眼圖的設(shè)計(jì)容差。
DDR5采用了高端DDR4數(shù)據(jù)速率,并通過使總線更快而不是更寬而再次將其翻倍。在布置并行單端網(wǎng)絡(luò)方面,仍在處理DDR4布線挑戰(zhàn),但這些通道要短得多。總線也將運(yùn)行得足夠快,以至于誤碼主要由接收器處的反射損耗、任何層轉(zhuǎn)換處以及色散引起。較短的通道有效地降低了總插入損耗,但回波損耗色散需要通過極高帶寬的極其精確的互連阻抗設(shè)計(jì)來補(bǔ)償。
對(duì)于DDR5,數(shù)據(jù)傳輸在具有雙向通信的單端網(wǎng)絡(luò)上以短脈沖形式發(fā)生。全速時(shí)鐘允許在互連的每一端在讀取和寫入之間切換。一切都必須非??焖俚厍袚Q,這需要無可挑剔的PDN設(shè)計(jì)來盡可能地抑制抖動(dòng)。典型電路板上的PDN阻抗只能變得如此之低,而且DDR5中的低信號(hào)電平(最大1.1V)對(duì)數(shù)字信號(hào)施加了非常嚴(yán)格的紋波/抖動(dòng)限制。這些以反射為主的通道問題和疊加在低電平信號(hào)上的低紋波要求現(xiàn)在迫使控制器在DDR5接口中使用均衡,以補(bǔ)償信號(hào)失真和符號(hào)間干擾(ISI)。請(qǐng)注意,這種均衡已經(jīng)用于高速差分串行標(biāo)準(zhǔn)(例如,SerDes通道中的LVDS)。DDR5中還有許多其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)需要考慮,但上面列出的挑戰(zhàn)可以說是最大的挑戰(zhàn)。
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