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非易失存儲(chǔ)芯片MRAM性能比較

2022-09-09 09:28:30

MRAM可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。具有SRAM高速讀取寫入能力和DRAM高集成度,基本可以無(wú)限次重復(fù)寫入。
 
如果把MRAM,DRAM,SRAM及FLASH等內(nèi)存做比較,就只有MRAM及FLASH具有非揮發(fā)性的特色功能;但在隨機(jī)存取功能上,則FLASH缺乏這種作用,只有MRAM,DRAM,SRAM具有隨機(jī)存取的優(yōu)點(diǎn)。
 
MRAM,DRAM及SRAM在寫入次數(shù)上,都可以寫入無(wú)限記憶,F(xiàn)LASH則只能寫入106次。關(guān)于芯片面積,MRAM與FLASH同樣是小規(guī)格的芯片,占用的空間最??;DRAM芯片面積屬于中等規(guī)格,SRAM屬于大面積規(guī)格的芯片,占用空間較大。
 
MRAM及SRAM在讀取速度上速度最快,均為25~100ns,但MRAM仍比SRAM快;DRAM則為50~100ns,屬于中速;FLASH是最慢的速度。
 
在耗電電量方面,只有MRAM及其SRAM具有低耗電的優(yōu)點(diǎn),F(xiàn)LASH屬于中級(jí)耗電要求,對(duì)于中級(jí)耗電要求,DRAM也有高功耗的缺陷。
 
DRAM,SRAM,F(xiàn)LASH在嵌入式設(shè)計(jì)是良率低,必須提高芯片面積設(shè)計(jì)規(guī)格;MRAM不需要改進(jìn)芯片面積的特殊設(shè)計(jì)。


本文關(guān)鍵詞: MRAM,SRAM

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