国产乱子伦视频在线观看_aⅤ天堂男人在线视频_国产色产综合色产在线视频_欧美XXXX少妇_亚洲久热无码AV中文字幕

聯(lián)系我們
發(fā)送郵箱
主頁 ? 新聞資訊 ? 新聞動(dòng)態(tài) ? SIC MOSFET相較于Si MOS

SIC MOSFET相較于Si MOS

2022-10-08 14:53:06

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結(jié)論,獲得精準(zhǔn)的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。
 
SIC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時(shí)還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。
 
SiC MOSFET與Si開關(guān)器件的一個(gè)重要區(qū)別是它們的柵極耐壓能力不同,Si開關(guān)器件柵極耐壓能力一般都能夠達(dá)到±30V,而SiC MOSFET柵極正壓耐壓能力一般在+20V至+25V,負(fù)壓耐壓能力一般僅有-3V至-10V。
 
同時(shí),SiC MOSFET開關(guān)速度快,開關(guān)過程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩,如果震蕩超過其柵極耐壓能力,則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞。
 
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久,往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測量上遇到問題,即測得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰,導(dǎo)致搞不清楚是器件的問題還是電路設(shè)計(jì)的問題,進(jìn)而耽誤開發(fā)進(jìn)度。


本文關(guān)鍵詞:SIC MOSFET


相關(guān)文章:功率半導(dǎo)體是汽車半導(dǎo)體的主要構(gòu)成


深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

?更多資訊關(guān)注SRAMSUN.   www.henhenlu10.com
展開