国产乱子伦视频在线观看_aⅤ天堂男人在线视频_国产色产综合色产在线视频_欧美XXXX少妇_亚洲久热无码AV中文字幕

聯(lián)系我們
發(fā)送郵箱
主頁 ? 新聞資訊 ? 新聞動態(tài) ? 非易失MRAM是BBSRAM完美替代產(chǎn)品

非易失MRAM是BBSRAM完美替代產(chǎn)品

2022-10-28 09:41:38

MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他半導體存儲器件都不能全部擁有的。
 
MRAM這是一種基于隧穿磁阻效應的技術(shù),MRAM所選工藝比現(xiàn)有工藝DRAM和更復雜,成本會更高。但它有現(xiàn)有的SRAM和DRAM沒有的特點,隨著應用規(guī)模的逐漸擴大,成本會逐漸降低。
 
磁阻隨機存儲器是一種采用新技術(shù)的隨機存儲器。它使用磁致電電阻效應來保存信息,因此它的速度可以和SRAM比,但同時也可和FLASH斷電后還可以保留數(shù)據(jù)。
 
MRAM技術(shù)特點:
不容易丟失:鐵磁體的磁帶不會因為斷電而消失,所以MRAM具有非易失性。
讀寫頻率次數(shù)無限:鐵磁體的磁化不僅斷電不會消退,而且?guī)缀蹩梢哉J為它永遠不會消失,所以MRAM和DRAM同樣可以無限重寫。
寫入速度快,功耗低:MRAM寫入時間可以低至2.3ns,而且功耗極低,可以實現(xiàn)瞬時開關機,增加便攜機電池的使用時間。
邏輯芯片整合度高:MRAM可以很容易地放入邏輯電路芯片中,只需要在后端金屬化過程中改進一兩個步驟。MRAM可以完全制成芯片的金屬層,甚至可以實現(xiàn)2-3層單元的堆疊,因此在邏輯電路上具有結(jié)構(gòu)規(guī)模內(nèi)存陣列的潛力。
 
MRAM特性較好,但臨界電流強度和功耗仍需進一步降低。MRAM存儲單元規(guī)格仍較大,不適合堆疊,工藝復雜,大規(guī)模制造難以保證均勻性,存儲容量和產(chǎn)量上坡緩慢。在進一步突破這一過程之前,MRAM商品主要適用于體積要求低的特殊應用領域及其新型IoT嵌入式存儲行業(yè)。
 

本文關鍵詞: MRAM,SRAM

相關文章:非易失存儲芯片MRAM性能比較


深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

?更多資訊關注SRAMSUN.   www.henhenlu10.com         0755-66658299
展開