在選擇適用于重型運輸車輛和其他數(shù)兆瓦級應用的SIC MOSFET時，設計人員需要考慮幾個重要因素，其中包括是否使用基于單元電池（也稱為電力電子構(gòu)件或子模塊）的模塊化解決方案。
 
過去的單元電池中使用的功率半導體器件一直是1200V到1700V的硅IGBT。與低功率應用十分相似，在單元電池級別部署1700V SIC MOSFET可以提高其功率處理能力和電氣性能。1700V SIC MOSFET的開關(guān)損耗要低得多，因此可以增加開關(guān)頻率并大幅縮小每塊單元電池的尺寸。1700V的高阻斷電壓還可減少達到相同直流鏈路電壓所需的單元電池數(shù)量，最終在降低成本的同時提高系統(tǒng)可靠性。
 
設計人員還應評估SIC MOSFET的固有體二極管的穩(wěn)健性。在施加應力前后的漏-源極導通狀態(tài)電阻（RDSon）測試中，器件不應表現(xiàn)出明顯的變化。這對于確保它們在經(jīng)過數(shù)小時的恒定正向電流應力后不會降級至關(guān)重要，因為器件會傳導反向電流，并在開關(guān)周期后對所有剩余能量進行換向。不同供應商供應的器件之間存在很大的差異，因此設計人員必須仔細檢查SIC MOSFET測試結(jié)果。許多器件表現(xiàn)出至少某種程度的降級，而另一些甚至可能變得不穩(wěn)定。若選擇不會降級的SIC MOSFET，則無需外部反并聯(lián)二極管，并可節(jié)省相關(guān)管芯成本和電源模塊的空間。
 
還可能存在一些與具有不同程度潛在不一致性的體二極管性能相關(guān)的挑戰(zhàn)，具體情況因器件而異。這可以通過使用可配置數(shù)字柵極驅(qū)動器調(diào)整SIC MOSFET的導通參數(shù)來解決。這些驅(qū)動器還可用于減輕SIC MOSFET更快開關(guān)速度的次級效應，包括噪聲和電磁干擾（EMI），以及由寄生電感和過熱引起的有限短路耐受時間和過壓?？膳渲脭?shù)字柵極驅(qū)動技術(shù)已成為充分發(fā)揮SiC技術(shù)能力的關(guān)鍵。

本文關(guān)鍵詞：SIC MOSFET

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