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為啥說2017年是國產(chǎn)存儲器發(fā)展元年?

2017-04-10 14:43:30

       近日從中國半導(dǎo)體協(xié)會主辦、賽迪顧問承辦的“2017中國半導(dǎo)體市場年會暨第六屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”得知,2017年有望成為國產(chǎn)存儲器大規(guī)模主流化發(fā)展元年。 
       3D NAND Flash、DRAM是智能手機必需的存儲芯片,中國企業(yè)一直沒加入這兩個主要市場的競爭行列。從2017中國半導(dǎo)體市場年會中得知,這一狀況有可能會改變。目前國內(nèi)存儲器芯片主要參與者有三個,分別是福建泉州的晉華存儲、湖北武漢的長江存儲以及紫光集團。其中,長江存儲初期定位發(fā)展Flash 產(chǎn)品,后期將擴展DRAM產(chǎn)品,晉華存儲項目定位DRAM產(chǎn)品。紫光集團除直接入股長江存儲外,還將在不同地點布局DRAM、Flash產(chǎn)品。
      賽迪顧問人士透露,在兩年的準備期之后,2017年上述項目將進入實質(zhì)性項目建設(shè)階段。長江存儲是目前進展最快的一方,長江存儲本身在Flash領(lǐng)域已經(jīng)有較豐富的經(jīng)驗,有望率先實現(xiàn)量產(chǎn)。晉華項目已經(jīng)開工建設(shè),項目運營由經(jīng)驗豐富的臺灣臺積電負責,技術(shù)則委托聯(lián)電進行開發(fā)。紫光集團目前在南京開工新建Flash產(chǎn)線。

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