三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
2017-04-11 17:05:17
近日三星電子宣布,設(shè)立在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。
三星新存儲芯片廠于 2015 年動土,共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤,并廣泛應(yīng)用于智能手機、數(shù)碼相機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。
市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出,三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲器龍頭,受惠于供給吃緊、平均報價(ASP)飆升,三星 NAND 快閃存儲器當(dāng)季報價增加 5%、單位出貨量季增 11-15%,推升營收成長近兩成(19.5%),市占率來到 37.1%。東芝同期間 NAND 存儲器市占率達(dá) 18.3%,暫居第二。Western Digital 緊追在后,僅差東芝 0.6 個百分點。
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