內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC此前確認(rèn)將于2018年正式宣布DDR5內(nèi)存規(guī)范，并非常明確的表示，下一代DDR內(nèi)存的帶寬和密度都是現(xiàn)在的兩倍！同時(shí)也會(huì)提供更加高效更加強(qiáng)大的通道效率。目前，DDR4內(nèi)存的最高默認(rèn)頻率能夠達(dá)到2400MHz，這意味著未來(lái)會(huì)有DDR5-4800內(nèi)存的出現(xiàn)。
      媒體認(rèn)為，這是一個(gè)非常巨大的提升。要知道，目前DDR4最高能夠超頻到4266MHz，而且由于對(duì)內(nèi)存體質(zhì)要求非常高，所以實(shí)際上只有很少一部分內(nèi)存存儲(chǔ)芯片能夠達(dá)到這一標(biāo)準(zhǔn)。而DDR5默認(rèn)就可以上到更高的頻率，對(duì)于用戶來(lái)說(shuō)是“幸福”的。
     不過(guò)，JEDEC并沒(méi)有把雞蛋全部放在DDR內(nèi)存一個(gè)籃子里，該機(jī)構(gòu)同時(shí)還在制定類似Intel傲騰技術(shù)的混合內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。
     JEDEC將這種混合內(nèi)存稱為NVDIMM-P，是一種將易失性內(nèi)存和非易失性內(nèi)存整合在一起的全新內(nèi)存產(chǎn)品，其能夠在關(guān)機(jī)狀態(tài)下保存數(shù)據(jù)。

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