紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技目前已經(jīng)研發(fā)出了國(guó)產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，預(yù)計(jì)在2018-2019年間量產(chǎn)，2020年技術(shù)上有望趕超國(guó)際先進(jìn)水平。量產(chǎn)了NAND芯片之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)下一步就要積極進(jìn)軍打入DRAM內(nèi)存市場(chǎng)了。今年1月份開始擔(dān)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行副董的高啟全日前對(duì)外表示長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)在已經(jīng)組建了500多人的研發(fā)隊(duì)伍，正在研發(fā)自己的DRAM制造技術(shù)，報(bào)道還稱國(guó)產(chǎn)DRAM很有可能直接進(jìn)入20/18nm先進(jìn)工藝時(shí)代。
        高啟全被稱為臺(tái)灣存儲(chǔ)芯片之父，他之前在臺(tái)灣知名DRAM芯片公司任職華亞科董事長(zhǎng)及南亞總裁，去年被愛才如命的紫光公司挖走擔(dān)任全球副總，主管紫光旗下的存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)，今年1月份又擔(dān)任了長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技的執(zhí)行副董，研發(fā)中國(guó)國(guó)產(chǎn)DRAM的消息就是他對(duì)外公布的。
       根據(jù)Digitimes報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)組建了500多人的研發(fā)隊(duì)伍，正在開發(fā)自己的DRAM制造技術(shù)。至于目前國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存到底處于什么技術(shù)水平上，原文報(bào)道稱很可能直接進(jìn)入20/18nm工藝，如果是真的，那么這個(gè)技術(shù)水平的確很先進(jìn)了，雖然三星兩年前就量產(chǎn)20nm工藝了，不過美光、SK Hynix公司今年才會(huì)完成制程轉(zhuǎn)換，而18nm目前就只有三星一家大規(guī)模量產(chǎn)，其他兩家還在準(zhǔn)備中。
        除了自己研發(fā)之外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也歡迎國(guó)際合作，高啟全稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)與美光合作依然十分感興趣，這將會(huì)是雙贏合作。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將是美光最適合、最佳合作伙伴，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作后美光與韓國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)力會(huì)進(jìn)一步增強(qiáng)。紫光公司在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的合作目標(biāo)一開始就是美光公司，但受制于美國(guó)的政策，紫光不論是收購(gòu)美光股份還是雙方投資合作都存在太多的不確定性，現(xiàn)在來看紫光對(duì)與美光的合作一直感興趣，可惜美光方面是沒法輕易接牌的。
       根據(jù)高啟全所說，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2017年內(nèi)將會(huì)出樣32層堆棧的3D NAND閃存，此外還在開發(fā)更先進(jìn)的64層堆棧產(chǎn)品，他指出NAND方面長(zhǎng)江存儲(chǔ)只比主要NAND供應(yīng)商落后一代技術(shù)。
       長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在中國(guó)武漢、南京建設(shè)兩座晶圓廠，每家晶圓廠的產(chǎn)能都達(dá)到了每月30萬(wàn)片12英寸晶圓。

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