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ISSI芯成SRAM存儲器72Mb 2Mx32 IS61LPS204832B

2017-07-07 15:24:39

 
IS61LPS204832B 是一款容量72MB 位數(shù)32位，具有高速，低功耗同步靜態(tài)RAM設(shè)計(jì)，
  IS61LPS204832B用于通信和網(wǎng)絡(luò)的高性能SRAM內(nèi)存,先進(jìn)的CMOS技術(shù)，器件集成了一個2位突發(fā)計(jì)數(shù)器，高速SRAM內(nèi)核和highdrive,能力輸出到單個單片電路,同步輸入通過寄存器控制,一個正邊沿觸發(fā)的單時鐘輸入。

特征
•內(nèi)部自定時寫周期
•單字節(jié)寫入控制和全局寫入
•時鐘控制，注冊地址，數(shù)據(jù)和
控制
•使用MODE輸入進(jìn)行突發(fā)序列控制
•三芯片使能選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)簡單的深度擴(kuò)展
并處理流水線
•通用數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出
•取消選擇時自動關(guān)機(jī)
•單周期取消選擇
•休眠模式，用于低功耗待機(jī)
•用于PBGA封裝的JTAG邊界掃描
• 電源
LPS：Vdd 3.3V（+ 5％），Vddq 3.3V / 2.5V（+ 5％）
VPS：Vdd 2.5V（+ 5％），Vddq 2.5V（+ 5％）
VVPS：Vdd 1.8V（+ 5％），Vddq 1.8V（+ 5％）
•JEDEC 100引腳TQFP，119球PBGA和
165球PBGA封裝
•無鉛可用


同類型號參考
Density org. Part Number Vcc VccQ Speed(Mhz) tKQ(ns) Pkg(Pins)
72Mb 2Mx32 IS61LPS204832B 3.3V 2.5/3.3V 200 3.1 QFP(100)
72Mb 2Mx16 IS61LPS204836B 3.3V 2.5/3.3V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx18 IS61LPS409618B 3.3V 2.5/3.3V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 2Mx36 IS61VPS204836B 2.5V 2.5V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx18 IS61VPS409618B 2.5V 2.5V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 2Mx36 IS61VVPS204836B 1.8V 1.8V 166 3.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx18 IS61VVPS409618B 1.8V 1.8V 166 3.5 IS61VVPS409618B
72Mb 2Mx36 IS61VVF204818B 3.3V 2.5/3.3V 133,177 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx8 IS61LF409618B 3.3V 2.5/3.3V 133,177 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 2Mx36 IS61VF204836B 2.5V 2.5V 133,177 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx8 IS61VF409618B 2.5V 2.5V 133,177 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 2Mx36 IS61VVF204836B 1.8V 1.8V 117 7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx8 IS61VVF409618B 1.8V 1.8V 117 7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 2Mx36 IS61NLP204836B 3.3V 2.5/3.3V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx8 IS61NLP409618B 3.3V 2.5/3.3V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 2Mx36 IS61NVP204836B 2.5V 2.5V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165,119)
72Mb 4Mx18 IS61NVP409618B 2.5V 2.5V 250,200 ,166 2.6,3.1,3.5 QFP(100),BGA(165,119)
72Mb 2Mx36 IS61NVVP204836B 1.8V 1.8V 250,200 ,166 2.6,3.1 QFP(100),BGA(165,119)
72Mb 4Mx8 IS61NVVP409618B 1.8V 1.8V 250,200,166 2.6,3.1 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 2Mx36 IS61NVF204836B 2.5V 2.5V 133,117 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx18 IS61NVF409618B 2.5V 2.5V 133,117 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165,119)
72Mb 2Mx36 IS61NVVF204836B 1.8V 1.8V 133,117 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb 4Mx8 IS61NVVF409618B 1.8V 1.8V 133,117 6.5,7.5 QFP(100),BGA(165,119)
72Mb 2Mx36 IS64LPS204836B 3.3V 2.5/3.3V 166 3.5 QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb 4Mx18 IS64LPS409618B 3.3V 2.5/3.3V 166 3.5 QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb 2Mx36 IS64VPS204836B 2.5V 2.5V 166 3.5 QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb 4Mx8 IS64VPS409618B 2.5V 2.5V 166 3.5 QFP(100),BGA(119),BGA(165)

 
性價比更優(yōu)的產(chǎn)品型號參考
Density Org. Part number Operating VDD(V) tCYC Access Time Burst Clock Package
72Mb 2Mx36 S7A643630M SPB 2.3~3.5v 250MHz 2.6ns -- -- 100TQFP
72Mb 4Mx18 S7A641830M SPB 2.3~3.5v 250MHz 2.6ns -- -- 100TQFP
72Mb 2Mx36 S7B643635M FT 2.3~3.5v 133MHz 6.5ns -- -- 100TQFP
72Mb 4Mx18 S7B641835M FT 2.3~3.5v 133MHz 6.5ns -- -- 100TQFP
72Mb 2Mx36 S7N643631M NT_SPB 2.3~3.5v 250MHz 2.6ns -- -- 100TQFP
72Mb 4Mx18 S7N641831M NT_SPB 2.3~3.5V 250MHz 2.6ns -- -- 100TQFP
72Mb 2Mx36 S7M643635M NT_FT 2.3~3.5V 133MHz 6.5ns -- -- 100TQFP
72Mb 4Mx18 S7M641835M NT_FT 2.3~3.5V 133MHz 6.5ns -- -- 100TQFP
72Mb 2Mx36 S7S6436T4M QDR II+ 1.8V 450,400,333 -- 4 2 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7S6418T4M QDR II+ 1.8V 450,400,333 -- 4 2 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7T6436T2M QDR II+, ODT 1.8V 400,357,333 -- 4 2 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7T6418T2M QDR II+, ODT 1.8V 400,357,333 -- 4 2 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7T6436T4M QDR II+, ODT 1.8V 450,400,333 -- 4 2 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7T6418T4M QDR II+, ODT 1.8V 450,400,333 -- 4 2 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7R643682M QDR II 1.8V 333,300,250 -- 2 1.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7R641882M QDR II 1.8V 333,300,250 -- 2 1.5 165FBGA
72Mb 8Mx9 S7R640982M QDR II 1.8V 333,300,250 -- 2 1.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7R643684M QDR II 1.8V 333,300,250 -- 4 1.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7R641884M QDR II 1.8V 333,300,250 -- 4 1.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7S6436U2M QDR II+ 1.8V 450,400,366 -- 2 2.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7S6418U2M QDR II+ 1.8V 450,400,366 -- 2 2.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7S6436U4M QDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 4 2.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7S6418U4M QDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 4 2.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7S6418U4M QDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 4 2.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7S6418U4M QDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 4 2.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7T6436U4M QDR II+, ODT 1.8V 550,450,400 -- 4 2.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7T6418U4M QDR II+, ODT 1.8V 550,450,400 -- 4 2.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7I643682M DDR II 1.8V 333,300,250 -- 2 1.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7I641882M DDR II 1.8V 333,300,250 -- 2 1.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7I643684M DDR II 1.8V 333,300,250 -- 4 1.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7I641884M DDR II 1.8V 333,300,250 -- 4 1.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7J643682M DDR II, SIO 1.8V 333,300,250 -- 2 1.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7J641882M DDR II, SIO 1.8V 333,300,250 -- 2 1.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7K6436T2M DDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 2 2 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7K6418T2M DDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 2 2 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7K6436U2M DDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 2 2.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7K6418U2M DDR II+ 1.8V 550,450,400 -- 2 2.5 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7L6436T2M DDR II+, ODT 1.8V 450,400,333 -- 2 2 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7L6418T2M DDR II+, ODT 1.8V 450,400,333 -- 2 2 165FBGA
72Mb 2Mx36 S7L6436U2M DDR II+, ODT 1.8V 550,450,400 -- 2 2.5 165FBGA
72Mb 4Mx18 S7L6418U2M DDR II+, ODT 1.8V 550,450,400 -- 2 2.5 165FBGA
 
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

      英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI/VILSION、 JSC(EMLSI)、IPSILOG、BOYA、Everspin 、ISOCOME、  PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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