瑞薩低功耗SRAM產(chǎn)品
2017-07-24 13:54:54
作為先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商的瑞薩電子,宣布推出兩款低功耗
SRAM(高級LP SRAM),主要是用于提供增強(qiáng)的可靠性和更長的備份電池壽命的應(yīng)用,如工廠自動化(FA),工業(yè)設(shè)備,以及智能電網(wǎng)。采用110納米(nm)工藝制造,新RMLV1616A系列16兆位(MB)的設(shè)備和RMWV3216A系列32 MB裝置采用創(chuàng)新的存儲單元技術(shù),大幅提高了可靠性,并有助于延長電池的運(yùn)行。
目前隨著需求高安全性跟高可靠性的要求,瑞薩順勢而出的高度可靠的SRAM,可以用來存儲重要的信息,比如系統(tǒng)程序及金融交易數(shù)據(jù)的需求,軟錯誤所引起的α射線和宇宙中子射線的預(yù)防是一個顯著的問題。典型的措施來解決這個問題包括嵌入糾錯碼(ECC)電路中的SRAM或用戶的系統(tǒng)糾正可能發(fā)生的任何軟錯誤。然而有限制,對ECC電路的錯誤糾正能力。例如,一些不能糾正影響多個位同時出錯。
瑞薩的高級LP SRAM器件具有在他們的記憶細(xì)胞獨(dú)家技術(shù),可實(shí)現(xiàn)軟錯誤性(注2)超過500倍,傳統(tǒng)的全CMOS存儲單元(注3)。這使得希望用于要求高可靠性,包括FA,測量設(shè)備,智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備和工業(yè)設(shè)備,除了許多其他領(lǐng)域,如消費(fèi)設(shè)備,辦公設(shè)備,和通信設(shè)備領(lǐng)域使用。
市場上最大容量64Mb低功耗SRAM產(chǎn)品R1WV6416R系列以及32Mb尺寸更小的SRAM產(chǎn)品由瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布推出,
目前瑞薩這兩款新系列采用了專有的存儲單元技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)更小芯片尺寸和無軟錯誤的先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品的陣容??梢詽M足消費(fèi)類產(chǎn)品:電子詞典;工業(yè)設(shè)備:自動販賣機(jī)、POS終端、自動檢票門;辦公設(shè)備:多功能復(fù)印機(jī);汽車系統(tǒng):汽車導(dǎo)航系統(tǒng);通信系統(tǒng):電話交換機(jī)、路由器等等。
這兩款產(chǎn)品主要是在一個封裝中集成了兩個小型32 Mb先進(jìn)LPSRAM芯片的堆棧,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的容量,可以滿足需要提高性能系統(tǒng)的大容量SRAM同時也滿足低功耗的需求,由于芯片的體積進(jìn)一步更小,有利于對減少PCB板空間的設(shè)計(jì)。瑞薩為了滿足不同的封裝需求,采用了幾種不同的封裝:TSOP I(48引腳)、μTSOP(52引腳),F(xiàn)BGA(48焊球)封裝。TSOP I和μTSOP封裝等,有利于客戶在使用原先的布局設(shè)計(jì)時增加存儲容量。再者采用一種堆疊電容器*2 存儲單元結(jié)構(gòu),這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實(shí)際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯誤,這可能是超精細(xì)SRAM存在的一個問題。此外,這種存儲單元結(jié)構(gòu)還可以避免寄生可控硅(parasitic thyristor)的問題,它可能產(chǎn)生寄生電流流動并導(dǎo)致鎖定。消除軟錯誤和鎖定可以實(shí)現(xiàn)卓越的可靠性。