中國三大存儲器陣營逐漸試產(chǎn)
2018-05-04 16:33:38
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,中國存儲器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于行動式內(nèi)存的合肥長鑫,以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營為主。以目前三家廠商的進度來看,試產(chǎn)時間估計將在2018年下半年,量產(chǎn)的時間可能都在2019年上半年,這代表著2019年將成為中國存儲器生產(chǎn)元年。
觀察三大廠目前的進度,合肥長鑫的廠房在去年第三季開始移入測試用機臺,目前進度與晉華集成差不多,將會在今年第三季進行試產(chǎn),量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年,時程較預期要落后一點。由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb,隨后面臨專利爭議的可能性也較高,所以為了避免發(fā)生這種狀況,除了積極取得專利權外,合肥長鑫初期可能將目標市場定于國內(nèi)。
至于專注于利基型記憶的晉華集成,在2016年7月宣布在福建省晉江市建12英寸廠,投資金額約53億美元,其中利基型內(nèi)存的試產(chǎn)延后至今年第三季度,量產(chǎn)時間也定于明年上半年。
2016年12月底,由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土,官方預期分三階段進行建設,總共要建立三座3D-NAND Flash廠房。第一階段廠房在去年9月完成興建,預期2018年第三季開始移入機臺,在第四季進行試產(chǎn),初期投片不超過1萬片,用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品,在64層技術逐步成熟后,再視情況擬定第二、三期生產(chǎn)計劃。
隨著中國存儲器產(chǎn)品逐步成熟,預計2020-2021年兩家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將漸漸滿載,最好的情況下,到時兩家合計約有每月25萬片的投片規(guī)模,可能將開始影響全球DRAM市場的供給。另一方面,長江存儲計劃設有的三座廠房總產(chǎn)能可能高達每月30萬片,不排除長江存儲完成64層產(chǎn)品開發(fā)后,可能將進行大規(guī)模的投片,進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。
本文關鍵詞:
NAND Flash
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