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Everspin 16位并口并行MRAM存儲芯片MR4A16BCMA35

2018-05-21 11:33:18


Everspin MR4A16BCMA35 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期,并擁有出色耐久性。Everspin MR4A16BCMA35為1024字 x16位的16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲器 (MRAM)。 
Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。對于這款并行MRAM來說,數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失,并會在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫入。并行MRAM是大多數(shù)手機(jī) 、 移動設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看,可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問題,明顯改變消費(fèi)者使用電子沒備的方式。
 
并行MRAM特性
 
+3.3V電源
35 ns快速讀/寫周期
SRAM兼容時(shí)序
出色的耐讀/寫能力
在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的小外形BGA和TSOP封裝
 
并行mram優(yōu)勢
 
一個(gè)存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,獲得更簡單、高效的設(shè)計(jì)
替代電池供電的SRAM,提高可靠性


本文關(guān)鍵詞:并行MRAM
 
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英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
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