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Everspin 16位并口并行MRAM存儲(chǔ)芯片MR4A08BYS35

2018-05-21 11:36:27


Everspin Technologies MR4A08BYS35并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫(xiě)周期,并擁有出色耐久性。Everspin Technologies MR4A08BYS35為2,097,152字 x 8位的16,777,216位非易失性并行存儲(chǔ)器 (MRAM)。 
 
這款并口并行MRAM存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失數(shù)據(jù),并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。
 
MR4A08BYS35采用400-mil 44引腳薄小外形TSOP2封裝,或10 mm x 10 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝(球中心距為0.75mm)。溫度范圍在商業(yè)級(jí)(0至+70 °C)、工業(yè)級(jí)(-40至+85 °C)與擴(kuò)展級(jí)(-40至+105 °C)溫度范圍內(nèi)工作,并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
 
 
特性
 
+3.3V電源
35 ns快速讀/寫(xiě)周期
SRAM兼容時(shí)序
出色的耐讀/寫(xiě)能力
在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的小外形BGA和TSOP封裝
 
優(yōu)勢(shì)
 
一個(gè)存儲(chǔ)器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,獲得更簡(jiǎn)單、高效的設(shè)計(jì)
替代電池供電的SRAM,提高可靠性

Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
16Mb 1Mx16 MR4A16BYS35 54-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 1Mx16 MR4A16BCYS35 54-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
16Mb 1Mx16 MR4A16BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 1Mx16 MR4A16BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

本文關(guān)鍵詞:并行MRAM
 
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