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Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35

2018-05-25 14:36:44


Everspin Technologies公司是全球領先的分立和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)的設計,制造領導者,其市場和應用領域的數據持久性和完整性 ,低延遲和安全性至關重要。 憑借在數據中心,云存儲,能源,工業(yè),汽車和運輸市場部署的超過7000萬個MRAM和ST-MRAM產品,Everspin建立了世界上MRAM用戶最強大,發(fā)展最快的基礎。

這款4Mb MRAM的引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR2A16A目標應用為工業(yè)自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設計的系統(tǒng)。

MR2A16A采用400-mil、44引腳薄小外形TSOP2封裝,或8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝(球中心距為0.75mm)。這兩種封裝形式均與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。
特性

256K x 16 MRAM存儲器 (MR2A16A)
35ns的快速讀/寫周期
SRAM兼容時序,采用現有的SRAM控制器,而無需重新設計
出色的耐讀/寫能力
在工作溫度范圍內數據保持期長達20年以上而不會丟失
一個存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,獲得更簡單、高效的設計
用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,無需組裝電池,也了提高可靠性
3.3V電源
掉電時提供自動數據保護功能
商業(yè)、工業(yè)以及汽車級溫度范圍
符合RoHS標準的SRAM TSOPII封裝
符合RoHS標準的SRAM BGA封裝,電路板面積縮小3倍
?型號表如下
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
 
本文關鍵詞:Everspin
 
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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

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