Everspin 非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片MR2A16AMYS35
2018-05-28 15:21:31
自20世紀(jì)90年代以來(lái),MRAM或磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一直在發(fā)展中。 基于90年代以來(lái)在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器行業(yè)使用的相同磁性技術(shù),它是一種新興技術(shù)之一,已被認(rèn)為是下一代存儲(chǔ)器的替代品,可取代DRAM和NAND閃存等半導(dǎo)體行業(yè)的中堅(jiān)力量,磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)技術(shù)先驅(qū)——Everspin推出4MB并行總線接口的MRAM芯片MR2A16AMYS35。
這款并行MRAM芯片采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的44芯TSOP II型封裝,為262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM,數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失,并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。MR2A16AMYS35能夠在擴(kuò)展級(jí)(-40至+105 °C)溫度范圍內(nèi)工作,并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合,以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖,我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量,并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨(dú)有特性。”MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),主要用來(lái)擴(kuò)展μC/OS-II功能。在不需要電能的情況下可以保留存儲(chǔ)內(nèi)容至少十年。就無(wú)法滿足系統(tǒng)健壯性要求,
?表為并行MRAM型號(hào)產(chǎn)品列表
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關(guān)鍵詞:
Everspin
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