Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用---DL205系列PLC
2018-05-29 15:14:42
磁阻RAM(MRAM)是其中一種仍然比較有優(yōu)勢的存儲器,有望在某些應(yīng)用中取代傳統(tǒng)存儲器。磁阻隨機存取存儲器(MRAM)技術(shù)先驅(qū)——EverSpin是全球唯一一家在批量出貨的供應(yīng)商。
光洋電子工業(yè)正在將Everspin的MRAM設(shè)計到其直接邏輯205(DL205)系列可編程邏輯控制器(PLC)中。光洋制造汽車設(shè)備和工廠自動化系統(tǒng),日本的主要汽車客戶之一正在尋找不需要備用電池的PLC。 Everspin的營銷副總裁Scott Emley在表示,Everspin的MRAM可以在電力損失情況下實現(xiàn)即時事件保存功能,并且非常適合惡劣環(huán)境。
光洋電子使用Everspin的DL205系列PLC和擴展模塊的1兆并行接口(MR0A16A)MRAM。 Emley說,這種工業(yè)應(yīng)用是Everspin的常見應(yīng)用領(lǐng)域。 “這是我們開始的地方。我們繼續(xù)關(guān)注過去八年來我們一直在發(fā)展的市場。“
雖然工業(yè)和汽車應(yīng)用一直是
Everspin的應(yīng)用市場,Emley表示該公司正在考慮MRAM和Spin-Torque MRAM(ST-MRAM)的更廣泛用途,尤其是對于需要數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲以及安全。其產(chǎn)品已進入數(shù)據(jù)中心,云存儲,能源,工業(yè),汽車和運輸市場。 MRAM在企業(yè)存儲中的一個用途是RAID系統(tǒng)來存儲元數(shù)據(jù)和存儲系統(tǒng)數(shù)據(jù);如果電源中斷,系統(tǒng)信息仍保存在非易失性MRAM中,并使RAID系統(tǒng)能夠更快地重建自身。
MRAM與DRAM相比具有非易失性的優(yōu)勢。與NOR和NAND閃存一樣,STT-MRAM可保留數(shù)據(jù)而無需連續(xù)的外部電源,并且功耗更低。由于其簡單的結(jié)構(gòu),它也可以比SRAM更好地擴展,這可以增加收縮并可能降低制造成本。
Emley表示,MRAM技術(shù)及其支持生態(tài)系統(tǒng)對于工業(yè)和汽車行業(yè)來說已經(jīng)成熟了很多,這些行業(yè)對溫度等環(huán)境以及企業(yè)存儲市場都有特殊的要求。 “汽車和存儲是我們的重要增長點。”
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