各大廠商爭相量產(chǎn)3D NAND
2018-06-01 14:55:51
三星計劃在今年提升64層3D NAND產(chǎn)品的比重,并計劃在年內在華城、平澤的工廠搶先量產(chǎn)96層3D NAND產(chǎn)品,甚至還計劃搶先競爭對手,開始投入128層3D NAND的研發(fā)量產(chǎn)工作。
三星的這一系列舉動也許將徹底使NAND Flash高層堆疊市場戰(zhàn)爭爆發(fā),美、日、韓等多國的內存大廠都將參戰(zhàn),市場競爭的激烈程度簡直無法想象。
美光推進64層3D NAND進程非常順利,東芝、西部數(shù)據(jù)也從2017下半年開始量產(chǎn)64層3D NAND。與此同時,為了降低NAND Flash生產(chǎn)成本,提升產(chǎn)品的競爭力,美、日、韓等多國的內存大廠近期都在加速更高層堆疊以及QLC四比特單元存儲產(chǎn)品的開發(fā)。
全球NAND Flash第二大廠東芝已于2017年6月與西數(shù)同時宣布,采用BiCS4技術的96層3D NAND已完成研發(fā)?,F(xiàn)在,隨著東芝半導體事業(yè)出售案落下實錘,業(yè)內普遍認為,未來東芝將會在NAND Flash突飛猛進。
而美光與英特爾合作開發(fā)的NAND Flash產(chǎn)品,也在最近傳出了96層3D NAND研發(fā)順利的消息。
至于SK海力士,2017年7月,就已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)72層(第四代)3D NAND閃存芯片。雖然目前SK海力士在NAND Flash領域排名落后,但是SK海力士也決定在2018年完成96層3D NAND產(chǎn)品研發(fā)。
本文關鍵詞:
3D NAND閃存
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