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Everspin科技公司并行MRAM芯片MR0A16AVYS35

2018-06-07 14:52:15


全球領(lǐng)先的離散和嵌入式磁阻隨機(jī)存取存儲器開發(fā)商和制造商Everspin科技公司(MRAM),Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)的公共半導(dǎo)體公司,其中包括獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)。MRAM具有與標(biāo)準(zhǔn)隨機(jī)存取存儲器(RAM)類似的性能特征,同時還具有非易失性存儲器的持久性,這意味著如果從系統(tǒng)中移除電源,其不會丟失其電荷或數(shù)據(jù)。這一特性使MRAM適用于大量嵌入式應(yīng)用,如需要性能和持久性的汽車和工業(yè)應(yīng)用。

Everspin生產(chǎn)的并行MRAM 1Mbit產(chǎn)品型號為MR0A16AVYS35容量:1Mb,擁有35ns的讀/寫周期(無寫入延遲),數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫入。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素,Everspin Technologies提供MR0A16AVYS35,產(chǎn)品應(yīng)用于工業(yè),汽車,運(yùn)輸和企業(yè)存儲市場。

產(chǎn)品型號如下:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃


本文關(guān)鍵詞:Everspin
 
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