存儲(chǔ)和服務(wù)器OEM廠商一直在評(píng)估其ST-MRAM產(chǎn)品，Everspin科技公司將為基于MRAM的存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器（SCM）進(jìn)一步提高密度，并預(yù)計(jì)將今年晚些時(shí)候基于其專(zhuān)有的垂直磁隧道結(jié)（pMTJ）ST-MRAM的1Gb產(chǎn)品。

 

Everspin自2008年以來(lái)一直從事MRAM業(yè)務(wù)。最先推出MRAM產(chǎn)品主要是提供SRAM的替代品，現(xiàn)在已經(jīng)包括工業(yè)，汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)中的離散和嵌入式應(yīng)用MRAM產(chǎn)品。 對(duì)于汽車(chē)市場(chǎng)，特別是對(duì)于需要高帶寬和高耐用性的高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)。RAID存儲(chǔ)仍然是Everspin成熟的MRAM產(chǎn)品中最大的一部分，約占40％的需求，而35％在工業(yè)控制應(yīng)用。汽車(chē)和運(yùn)輸占其余大部分。

 

Everspin將提供獨(dú)立的ST-MRAM產(chǎn)品和NVDIMM，開(kāi)始時(shí)密度為256Mb，1Gb。

 

從市場(chǎng)來(lái)看持續(xù)DRAM市場(chǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于持續(xù)性SRAM市場(chǎng)，而新型高密度256Mb ST-MRAM可用于保護(hù)包括SSD在內(nèi)的第一級(jí)存儲(chǔ)器中的熱數(shù)據(jù)。能夠保護(hù)飛行中的數(shù)據(jù)，而不必?fù)?dān)心由于電源不可靠造成的數(shù)據(jù)損壞以及NAND和其他永久存儲(chǔ)器的較慢寫(xiě)入性能。 

 

Everspin將提供分立的ST-MRAM產(chǎn)品和NVDIMM。后者通過(guò)消除斷電期間所需的DRAM和NAND閃存之間的數(shù)據(jù)傳輸來(lái)提供改進(jìn)的可靠性。 256Mb ST-MRAM允許該公司進(jìn)入基于SSD的存儲(chǔ)市場(chǎng)，即將推出1Gb密度。 

 

通用的記憶在解決具體問(wèn)題方面變得不那么有效。 ST-MRAM比DRAM更適合寫(xiě)緩存。然而，Everspin不直接瞄準(zhǔn)DRAM，而是專(zhuān)注于為需要持久存儲(chǔ)器的應(yīng)用取代DRAM。 

 

迄今為止，Everspin一直是唯一一家取得顯著商業(yè)成功的MRAM公司，盡管還有其他供應(yīng)商正在研究利基內(nèi)存。例如，Avalanche技術(shù)公司宣布正在采樣業(yè)界首款采用32 / 64Mbit獨(dú)立分立STT-MRAM存儲(chǔ)器器件的行業(yè)首款自旋轉(zhuǎn)矩磁RAM（STT-MRAM）芯片，并采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SPI基于55nm節(jié)點(diǎn)代工過(guò)程的接口。

 

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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