Everspin串口MRAM芯片MR25H40CDF
2018-07-18 09:47:50
Everspinn科技有限公司是全球領先的設計, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商,自從Everspin第一款產(chǎn)品進入市場,由于MRAM可以保持數(shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗等特性,在應用程序設計中起到了安全性至關重要的作用,現(xiàn)在在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和運輸市場應用超過 7000萬 MRAM 和 MRAM 產(chǎn)品, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強大、最迅速的基礎。
Everspin Technologies MR25H40CDF容量為4Mb的磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。MR25H40CDF擁有35ns的讀/寫周期(無寫入延遲),以及出色的耐讀/寫能力。數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入。對于必須快速、永久地存儲和檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序的應用,MR25H40CDF在較為寬的溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。溫度范圍0至+70°C),用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素
產(chǎn)品型號參考如下:
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
本文關鍵詞:
Everspin
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