2018年8月6日,在圣克拉拉舉行的半導(dǎo)體存儲行業(yè)活動中的技術(shù)，CA，MRAM開發(fā)者日和閃存峰會。

離散和嵌入式MRAM全球領(lǐng)先的開發(fā)商和制造商Everspin在這些活動中展示最新產(chǎn)品STT-MRAM,

會議中心主席兼首席執(zhí)行官Kevin Conley發(fā)表主題演講

作為MRAM的領(lǐng)導(dǎo)者Everspin以題為“MRAM革命”作為展示主題，在MRAM技術(shù)方面，Everspin也在整個展覽中占據(jù)突出地位，

Everspin的展臺采用Everspin最新的旋轉(zhuǎn)傳輸扭矩MRAM（STT-MRAM）產(chǎn)品和技術(shù)，包括：

•與頂級企業(yè)存儲供應(yīng)商的第一次重大設(shè)計勝利
由Everspin 40nm 256Mb STT-MRAM內(nèi)存供電。這個設(shè)計將低延遲數(shù)據(jù)持久性的功能帶到了公司的NVMe解決方案。通過本機使得數(shù)據(jù)持久化，
MRAM幫助該供應(yīng)商實現(xiàn)了新的性能和存儲水平容量和可靠性。

•NVMe over Fabric（NVMeoF）現(xiàn)場演示。這個演示具有通過高速以太網(wǎng)結(jié)構(gòu)連接的兩臺服務(wù)器
一個nvNITRO™加速器，可以實現(xiàn)NVMe通信遠程持久性內(nèi)存位置，繞過系統(tǒng)CPU，效率更高。

•作為Xilinx聯(lián)盟計劃的一部分，Everspin將以此為特色，Xilinx FPGA支持MRAM產(chǎn)品解決方案。
•SMART Modular Technologies將與Everspin合作，使用256Mb展示他們的nvNITRO NVMe存儲加速器，STT-MRAM實現(xiàn)了無與倫比的低延遲記錄。

本文關(guān)鍵詞：Everspin

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