半導(dǎo)體存儲器經(jīng)過40多年來的發(fā)展,根據(jù)Yole Developpement市場分析公司的數(shù)據(jù),PCM將會迎來迅速的發(fā)展的大時機,并預(yù)計會實現(xiàn)約50億美元的銷售額在2023年。
PCM的市場份額被預(yù)估會從2018年的2.73億美元增長到2023的61億美元,并將占83
%來自每年獨立的新興非易失性存儲器市場份額,大概為86%的復(fù)合年增長率。
YOLE預(yù)計到2023年,ReRAM會上升到銷售額排名第二的位置,即使目前ReRAM并未大面積被使用的情況下。
新興的非易失性存儲器市場受到來自獨立的和嵌入式應(yīng)用技術(shù)市場的沖擊。資料來源:Yole Developpement。
在SCM及基于PCM的3D XPoint存儲器的Intel和Micron的推動,獨立非易失性存儲器日漸增長。同時存儲器廠家海力士也同時在研究類似于英特爾和美光的方法。
根據(jù)YOLE的分析師Simone Bertolazzi的聲明中,可以得知即使圍繞嵌入式應(yīng)用的新興NVM正在蓬勃發(fā)展,也不阻礙獨立存儲器將會主導(dǎo)市場,而獨立存儲器的主導(dǎo)是由SCM企業(yè)和客戶端應(yīng)用驅(qū)動的。
DRAM在未來五年仍然會繼續(xù)不斷的擴展,但發(fā)展速度應(yīng)該比之前的慢些,也由于3D集成技術(shù)的發(fā)展,NAND閃存的容量也將會不斷的增加。由于特性及市場的不同,新興的NVM不會取代獨立的DRAM跟NAND FLASH,應(yīng)該會在組合存儲器中對其進(jìn)行補充。
ReRAM有可能成為第一個與3D XPoint相競爭的獨立技術(shù),但是由于技術(shù)限制,ReRAM的發(fā)展還是比較緩慢的,目前Crossbar Inc.和Nantero Inc是支持獨立的ReRAM的技術(shù)應(yīng)用的。
新興的非易失性存儲器因應(yīng)用而發(fā)展。
ReRAM有可能與SCM再次作為競爭者在2020年之后,在高速性及高耐久性上,STT-MRAM也認(rèn)為很有應(yīng)用前景但限于制作工藝的復(fù)雜性未能大面積被應(yīng)用。
目前來看STT-MRAM正在為微控制器增添動力相對于新興非易失性存儲器的嵌入式市場,所有主流的代工廠都參與了STT-MRAM的領(lǐng)域加速研發(fā)STT-MRAM。
與獨立市場相比,嵌入式新興NVM從2017市場份額來看只占了3%相對性市場規(guī)模還是比較小的,所有頂級代工廠都在準(zhǔn)備28nm或22nm的STT-MRAM產(chǎn)品。
Yole預(yù)測,到2023年,STT-MRAM將占據(jù)每年11億美元的市場份額的四分之三左右,其余大部分將用于ReRAM技術(shù)。
本文關(guān)鍵詞:
MRAM
相關(guān)文章:
中國的半導(dǎo)體行業(yè)該如何在被美國限制芯片出口后?
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關(guān)注SRAMSUN. www.henhenlu10.com 0755-66658299