英特爾介紹整合于其22FFL工藝的自旋轉移力矩(STT)-MRAM非揮發(fā)內(nèi)存之關鍵特性,并指稱這是“首款基于FinFET的MRAM技術”。英特爾表示該技術目前已經(jīng)“生產(chǎn)就緒”(production-ready),但并沒透露有哪一家代工廠采用這一工藝;不過,根據(jù)多個消息來源顯示,該技術已經(jīng)用于目前出貨中的產(chǎn)品了。
同時,三星(Samsung)介紹在其28nm FDSOI工藝制造的STT-MRAM。從可擴展性、形狀可調(diào)整以及磁可擴展性方面來看,STT-MRAM被視為是目前最佳的MRAM技術。
隨著業(yè)界持續(xù)邁向更小技術節(jié)點,DRAM和NAND閃存(flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰(zhàn),MRAM因而被視為有望取代這些內(nèi)存芯片的備選獨立式組件。此外,這種非揮發(fā)性內(nèi)存由于具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力,也被視為極具吸引力的嵌入式技,適用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被視為特別適用于像物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設備之類的應用。
電子顯微鏡影像顯示MTJ數(shù)組的橫截面,該數(shù)組嵌入于英特爾22nm FinFET邏輯工藝中的Metal 2和Metal 4之間
但隨著制造成本降低以及其他內(nèi)存技術面對微縮挑戰(zhàn),嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是,隨著新的工藝技術進展,SRAM內(nèi)存單元的尺寸并不會隨著其后的先進工藝而縮小,因此,MRAM將會變得越來越有吸引力。
其嵌入式MRAM技術在攝氏200°溫度下可實現(xiàn)10年的數(shù)據(jù)保留能力,耐受度超過106個開關周期。該技術使用216×225 mm 1T-1R內(nèi)存單元。
同時,三星稱其8Mb MRAM的耐受度為106個周期,同樣支持10年的保留能力。
Song表示,三星的技術一開始將先針對物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用,并將在提高可靠性之后,陸續(xù)導入汽車和工業(yè)應用。“我們已成功將該技術從實驗室轉移到晶圓廠,預計在不久的將來上市。”
而一直立足于MRAM市場領域的EVERSPIN卻已經(jīng)早將STT-MRAM商業(yè)化,推出了并口,串口,DDR3等接口的MRAM產(chǎn)品,Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器(MRAM)的公共半導體公司,其中包括獨立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)。Everspin Technologies提供Toggle MRAM,自旋轉矩MRAM,嵌入式MRAM,磁性傳感器以及航空和衛(wèi)星電子系統(tǒng),公司產(chǎn)品應用于工業(yè),汽車,運輸和企業(yè)存儲市場。
本文關鍵詞:MRAM
相關文章:STM32單片機外擴SRAM的選擇
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。