中芯國際成功制出40nm ReRAM存儲芯片
2017-02-07 11:40:46
以紫光為代表的中國公司正在斥資數百億美元投入NAND、DRAM等存儲芯片市場,2018年將推出國產3D NAND閃存,希望能夠達到國家要求的芯片自給率要求。
但是在NAND范疇,在研發(fā)和生產上中國公司比外國公司已經晚了20多年,更大的希望還是寄托于新一代存儲技術上。
中芯國際(SMIC)日前正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片,更先進的28nm工藝版也即將到來,這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍,耐用一千倍。
在
存儲芯片領域,NAND閃存是目前的絕對主流,保守點說三五年內它都會是電子設備存儲芯片的主流選擇,但研究人員早已開始探索研發(fā)新一代非易失性存儲芯片了, Intel、美光研發(fā)的3D XPoint之前有說是基于PCM相變存儲,也是新一代存儲芯片范疇了,而今天說的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)更是代表性的非易失性存儲器。
雖然它的名字中帶RAM,不過ReRAM其實更像NAND閃存那樣用作數據存儲,但是它的性能更強,密度比DRAM內存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實現TB級存儲,還具備結構簡單、易于制造等優(yōu)點。
提及ReRAM,不得不提的一家公司就是Crossbar,根據該公司資料,Crossbar技術首先由出生于中國的盧偉(Dr. Wei D. Lu)博士研發(fā),他也是Crossbar的首席科學家和聯合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位,和德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在ReRAM領域擁有十二年的研究經驗,他先作為哈佛大學的博士后研究員,然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業(yè)的領先專家,包括基于雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統(tǒng)、神經元電路、半導體納米線設備和低維系統(tǒng)中的電子輸運。
2016年這家公司獲得了8000萬美元的風投,中國公司也參與在內,同時Crossbar去年3月份也宣布進軍中國市場,他們的合作伙伴就是SMIC中芯國際,將基于后者的40nm CMOS試產ReRAM芯片。根據該公司副總裁Sylvain Dubois所說,2016年內中芯國際已經開始給客戶出樣40nm工藝的ReRAM芯片,實現了該公司之前2016年內推出ReRAM的計劃。
不僅如此,更先進的28nm工藝版ReRAM芯片也將在2017年上半年問世,只是Sylvain Dubois拒絕表態(tài)是否還是由SMIC生產,還是交給其他代工廠。
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