Everspin非易失性MRAM切換技術(shù)
2019-12-10 09:18:53
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。 在數(shù)據(jù)中心,云存儲(chǔ),能源,工業(yè),汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)
MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品,為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大,增長(zhǎng)最快的基礎(chǔ)。下面介紹關(guān)于切換MRAM技術(shù)
切換MRAM使用1個(gè)晶體管,1個(gè)MTJ單元來(lái)提供簡(jiǎn)單的高密度存儲(chǔ)器。Everspin使用獲得專利的Toggle電池設(shè)計(jì),可提供高可靠性。數(shù)據(jù)在溫度下20年始終是非易失性的。
在讀取期間,傳輸晶體管被激活,并且通過(guò)將單元的電阻與參考器件進(jìn)行比較來(lái)讀取數(shù)據(jù)。在寫(xiě)入期間,來(lái)自寫(xiě)入線1和寫(xiě)入線2的磁場(chǎng)會(huì)在兩條線的交點(diǎn)處寫(xiě)入單元,但不會(huì)干擾任一條線上的其他單元。
EVERSPIN MRAM產(chǎn)品采用一個(gè)晶體管,一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)存儲(chǔ)單元作為存儲(chǔ)元件。MTJ由固定的磁性層,薄的電介質(zhì)隧道勢(shì)壘和自由磁性層組成。當(dāng)對(duì)MTJ施加偏壓時(shí),被磁性層自旋極化的電子將通過(guò)稱為隧穿的過(guò)程穿過(guò)介質(zhì)阻擋層。
當(dāng)自由層的磁矩平行于固定層時(shí),MTJ器件具有低電阻,而當(dāng)自由層磁矩與固定層矩反平行時(shí),MTJ器件具有高電阻。
MRAM是一種利用電子自旋的磁性提供非易失性而不會(huì)磨損的存儲(chǔ)器。MRAM將信息存儲(chǔ)在與硅電路集成的磁性材料中,從而在單個(gè)無(wú)限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。
Everspin MRAM器件旨在結(jié)合非易失性存儲(chǔ)器和RAM的最佳功能,為越來(lái)越多的電子系統(tǒng)提供“即時(shí)接通”功能和斷電保護(hù)。
本文關(guān)鍵詞: MRAM
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