Everspin自成立長(zhǎng)期以來(lái)一直是MRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)者，向市場(chǎng)展示了其28nm單機(jī)1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。

圖1. Everspin 40nm 1.5nm DDR3 256 Mb（頂部）和1.2V DDR4 28nm 1 Gb（底部）STT-MRAM產(chǎn)品的俯視圖。
 
MRAM器件主要由兩個(gè)BEOL金屬層之間的磁性可編程電阻器實(shí)現(xiàn)，如下列的圖2所顯示。


圖2顯示了1 Gb陣列中的pMTJ位以及芯片的BEOL金屬化中的相鄰邏輯區(qū)域的集成。
 
磁隧道結(jié)（MTJ）由具有高垂直磁各向異性的固定磁層，MgOx隧道勢(shì)壘及自由磁層組成。施加臨界電壓后，自旋極化電子的電流通過(guò)MgOx隧穿勢(shì)壘而將自由層的極化翻轉(zhuǎn)為平行或反平行磁狀態(tài)，分別顯示了對(duì)讀取電流的低電阻或高電阻。自由層還可以針對(duì)不同的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。在寫入的過(guò)程中，未觀察到回跳或切換的異常，這可以表明從-35C到110C的工業(yè)應(yīng)用溫度范圍，切換可靠性的窗口比較大。DIMM循環(huán)表明耐久性壽命大于2e11個(gè)循環(huán)的周期。圖3則顯示了溫度對(duì)數(shù)據(jù)保存的影響，數(shù)據(jù)在85℃的情況下可保存10年，而在100℃下僅保存3個(gè)月。
 
圖3.一組1Gb裸片的數(shù)據(jù)保留（DR）烘烤的失效時(shí)間與溫度的關(guān)系。實(shí)線擬合表示在85°C情況下為10年的DR，在100°C情況下為3個(gè)月的DR。

everspin STT-MRAM  1Gb型號(hào)規(guī)格

Density	Org.	Part Number	Speed	Temp Rating	Package	Pack/Ship	Status
1Gb	128Mb x8	EMD4E001G08G1-150CAS1	667MHz	Commercial	78-BGA	Tray	CS
1Gb	128Mb x8	EMD4E001G08G1-150CAS1	667MHz	Commercial	78-BGA	Tape & Reel	CS
1Gb	64Mb x16	EMD4E001G16G2-150CAS1	667MHz	Commercial	96-BGA	Tray	CS

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http://www.henhenlu10.com/list-306-1.html#product_brand

本文關(guān)鍵詞：everspin    STT-MRAM

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