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STT-MRAM取代DRAM

2020-02-14 13:23:06

先進(jìn)的SSD架構(gòu):STT-MRAM取代DRAM
隨著STT-MRAM密度的增加,STT-MRAM有機(jī)會(huì)完全取代SSD架構(gòu)中的DRAM(圖1),從而提供更多高級(jí)功能,而只有在以DRAM速度運(yùn)行的大量持久性內(nèi)存中,這種能力才可能實(shí)現(xiàn)。
 

圖1.STT-MRAM取代了高級(jí)SSD架構(gòu)中的DDR
 
較小的SSD,通常使用平面FTL表,每兆字節(jié)的閃存存儲(chǔ)需要大約1GB的ST-DDR。更大的SSD的趨勢(shì)是使用多層分層表來減小DDR中保存的表大小。但是,仍然必須定期將這些表與其他控制器元數(shù)據(jù)一起寫入緩存,這會(huì)使控制器的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。這些分層解決方案的確提供了上電后恢復(fù)時(shí)間更快的附加優(yōu)點(diǎn),因?yàn)榭刂破鞑槐氐鹊綇拈W存加載整個(gè)平面表后就可以了。
 
要實(shí)現(xiàn)包括重復(fù)數(shù)據(jù)刪除和壓縮在內(nèi)的高級(jí)功能,需要維護(hù)必要的表并將其存儲(chǔ)在ST-DDR中。這些表還需要通過斷電來維護(hù),因此必須刷新到閃存,這會(huì)增加控制器設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

本文關(guān)鍵詞:STT-MRAM

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