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?Microchip SPI串行SRAM和NVSRAM器件

2020-02-17 09:47:39

Microchip的SRAM和NVSRAM系列(SPI串行SRAM和NVSRAM設(shè)備)提供了一種輕松添加外部RAM的方式,且具有以下特性功能
 
特性
低功耗CMOS技術(shù):4μA最大待機電流
 
標(biāo)準(zhǔn)4引腳SPI接口:芯片選擇、數(shù)據(jù)輸入、數(shù)據(jù)輸出和時鐘
 
無限寫入存儲器、零寫入時間
 
提供備用電池(512Kb、1Mb)
 
32字節(jié)頁面
 
高速SDI(2x)和SQI(4x)模式支持,高達80Mb/s
 
工業(yè)溫度范圍:-40°C至+85°C
 
小型8引線SOIC、TSSOP和PDIP封裝
 
Microchip的串行SRAM系列提供了一種幾乎能在任何應(yīng)用上添加外置RAM的方法,這種方法成本相對低廉、操作簡單。相比傳統(tǒng)并行SRAM,這些8引腳串行器件的功耗更低,所用I/O連接數(shù)量更少。利用這些器件,設(shè)計人員可以使用更小的微控制器,而無需僅僅為了獲得更大的板載RAM而改用更大的器件。零寫入周期時間使這些器件非常適合于將圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻和其它數(shù)據(jù)密集型功能卸載至獨立SRAM。與標(biāo)準(zhǔn)SPI相比,SDI和SQI允許使用2倍和4倍數(shù)據(jù)速率。Microchip的SPI兼容型串行SRAM器件有64、256、512和1024Kb四種容量供用戶選擇。這些器件以低功耗實現(xiàn)高速性能,非常適合需要更大RAM的嵌入式應(yīng)用。
 
此外,這些512Kb和1Mb器件還具有Vbat引腳用于電池備份,因此當(dāng)外部電池或超級電容器連接到該引腳時,使器件具有非易失性。這些串行NVSRAM器件具備無限使用壽命和瞬時寫功能,對于諸如量表、黑盒和數(shù)據(jù)記錄器之類應(yīng)用特別有用。

Microchip串行SRAM系列如下表
Density Part number Voltage Speed(MHz) Temp.-Range PKG
1Mb 23A1024 1.7 - 2.2V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
1Mb 23LC1024 2.5 - 5.5V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
1Mbit 23LCV1024 2.5 - 5.5V 20 -40°C to +85°C SPI,SDI
512Kb 23A512 1.7 - 2.2V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
512Kb 23LC512 2.5 - 5.5V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
512Kbit 23LCV512 2.5 - 5.5V 20 -40°C to +85°C SPI,SDI
256Kb 23A256 1.7-1.95V 16 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
256Kb 23K256 2.7-3.6V 20 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb 23A640 1.7-1.95V 16 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb 23K640 2.7-3.6V 20 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
 
 本文關(guān)鍵詞:串行SRAM

上一篇文章:STT-MRAM取代DRAM


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