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高性能異步SRAM技術(shù)角度

2020-02-27 10:42:13

當前有兩個不同系列的異步SRAM:快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來,這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中,通過采用特殊柵誘導漏極泄漏(GIDL)控制技術(shù)控制待機電流來控制待機功耗。這些技術(shù)需要在上拉或下拉路徑中添加額外的晶體管,因此會加劇存取延遲,而且在此過程中會延長存取時間。在快速SRAM中,存取時間占首要地位,因此不能使用這些技術(shù)。此外要減少傳播延遲,需要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大會增大漏電流,從而增加整體待機功耗。
 
微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。這種工作模式有助于為大部分時間都處于待機狀態(tài)下的應(yīng)用省電。該控制器可在正常工作中全速運行,但事后則進入低功耗模式,以便節(jié)省電源。使所連接的SRAM也具有類似的工作模式很重要。具有深度睡眠工作模式[5]的異步快速SRAM是這類應(yīng)用的理想選擇。這種SRAM芯片有一個附加輸入引腳,有助于用戶在不同的工作模式(正常、待機和深度睡眠)間切換。因此可在不影響性能的情況下管理低功耗。
 
到目前位置的典型SRAM應(yīng)用接受這種權(quán)衡:電池供電應(yīng)用使用低功耗SRAM(降低性能),有線工業(yè)高性能應(yīng)用則使用快速SRAM。不過對于物聯(lián)網(wǎng)及其它眾多高級應(yīng)用來說,這種權(quán)衡不再適用。主要原因是對于大部分這些應(yīng)用而言,不僅高性能很重要,同時還必須限制待機功耗,因為這些應(yīng)用大多采用電池供電工作。非常幸運的是,SRAM正在縮小這兩個系列之間的性能差距,正逐漸發(fā)展成具有這兩種優(yōu)勢的單芯片產(chǎn)品。我司英尚微VTI代理商,提供VTI SRAM芯片.

VTI快速異步SRAM部分型號
Density Org. Part Name Temp. Vcc(V) Speed Package Packing
32Mbit 4M x 8 VTI532LF08TM Industrial 1.8 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 4M x 8 VTI532LF08LM Industrial 1.8 8/10 48BGA Tray
32Mbit 4M x 8 VTI532NF08TM Industrial 3.3 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 4M x 8 VTI532NF08LM Industrial 3.3 8/10 48BGA Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532LF16TM Industrial 1.8 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532LF16LM Industrial 1.8 8/10 48BGA Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532NF16TM Industrial 3.3 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532NF16LM Industrial 3.3 8/10 48BGA Tray

 
本文關(guān)鍵詞: 異步SRAM

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

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