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SRAM芯片is62wv51216

2020-03-16 09:16:05

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM,組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù),可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS1為HIGH(取消選擇)或CS2為LOW(取消選擇)或CS1為LOW,CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時(shí),器件將處于待機(jī)模式,在該模式下,可通過CMOS輸入降低功耗水平。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB)。
 
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引腳TSOP(TYPE II)中。英尚微電子親自授權(quán)為ISSI代理,為各行業(yè)領(lǐng)域提供各種SRAM芯片,保持長期供貨,完成客戶各方面的需求.
 
SRAM芯片型號(hào)IS62WV51216,管腳圖如下:
 
IS62WV51216的管腳總的來說大致分為:電源線、地線、地址線、數(shù)據(jù)線、片選線、寫使能端、讀使能端和數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)線。
 
特征
•高速訪問時(shí)間:45ns,55ns
•CMOS低功耗運(yùn)行
–36mW(典型值)運(yùn)行
–12µW(典型值)CMOS待機(jī)
•TTL兼容接口級(jí)別
•單電源
–1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL)
–2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL)
•完全靜態(tài)操作:無時(shí)鐘或刷新需要
•三態(tài)輸出
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
•可提供工業(yè)溫度
•無鉛

ISSI  8Mb LP SRAM芯片
Density Org. Part Number Vcc. Speed(ns) Pkg(Pins)
8Mb 1Mx8 IS62C10248AL 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
8Mb 1Mx8 IS62WV10248DALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 512Kx16 IS62WV51216ALL/BLL 1.65-3.6V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
8Mb 512Kx16 IS62C51216AL 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
8Mb 512Kx16 IS62/65WV51216EALL/EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS62WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS65WV10248EALL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS65WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS62/65WV10248EALL/EBLL 1.65-3.6V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)

本文關(guān)鍵詞:SRAM芯片 

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