Everspin Serial MRAM存儲(chǔ)芯片MR20H40CDF
2020-04-08 09:25:19
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。擁有超過(guò)600多項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。英尚微電子作為
everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ).沒有寫延遲,并且讀/寫壽命不受限制。
產(chǎn)品描述
MR20H40CDF是Everspin 所生產(chǎn)的由4194,304位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備系列,組織為524,288個(gè)8位字。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序,它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序,沒有寫延遲,并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲(chǔ)器不同,使用MR2xH40系列,讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生,而寫入之間沒有延遲。
MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MR20H40CDF
MRAM存儲(chǔ)芯片(50MHz)提供了(-40°至+85°C)的工業(yè)溫度范圍。MR20H40CDF(40MHz)具有工業(yè)(-40°至+85°C),擴(kuò)展(-40至105°C)和AEC-Q1001級(jí)(-40°C至+125°C)工作溫度范圍選項(xiàng)。兩者均采用5x6mm,8引腳DFN封裝。該引腳與串行SRAM,EEPROM,閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。
產(chǎn)品圖片
產(chǎn)品特征
沒有寫入延遲
•無(wú)限的寫續(xù)航力
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•快速,簡(jiǎn)單的SPI接口,MR20H40的時(shí)鐘速率高達(dá)50 MHz。
•3.0至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)(-40至85°C),擴(kuò)展(-40至105°C)和AEC-Q100 1級(jí)(-40至125°C)溫度范圍選項(xiàng)。
•提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標(biāo)志。
•直接替換串行EEPROM,閃存和FeRAM
•MSL 3級(jí)
DFN封裝引腳圖(頂視圖)
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