性能指標(biāo): | |||
芯片尺寸:
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1.2X1.2mm2
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敏感區(qū)域:
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0.8X 0.8mm2
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視場角度:
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80度
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電阻:
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140±30kΩ
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噪聲:
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29±2nV/Hz1/2
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NEP:
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0.6nW/Hz1/2
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響應(yīng)度:
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80V/W
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電阻溫度系數(shù):
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0.06%/℃
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時間常數(shù):
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15ms
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探測率:
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0.63 E08cmHz1/2/W
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熱敏電阻阻值:
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100 ± 2%KΩ
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熱敏電阻Beta值:
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3950 ± 1%K
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工作溫度:
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-30~+100℃
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貯存溫度:
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-40~+125℃
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測試條件: 1. 溫度= 25℃ 2. 500K,5.5μm,(長通) 3. 500K,1赫茲
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